[发明专利]一种可提高画面解析度的立体显示设备及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210335706.4 申请日: 2012-09-11
公开(公告)号: CN102854678A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 徐源竣;吕思慧;李明贤 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 画面 解析度 立体 显示 设备 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种立体显示设备,尤其涉及一种可提高画面解析度的立体显示设备及其制造方法。

背景技术

当前,随着半导体技术和液晶显示技术的发展,自动立体显示(Autosterocopic,或称为3D显示)设备也逐渐受到设计人员和使用者的青睐。在3D显示器的研发过程中,大致包括两大技术体系,其一是需佩戴立体眼镜的3D显示器,其二是无需佩戴立体眼镜的裸眼3D显示器。一般来说,在平面显示器的显示屏幕上,若要形成具有立体感的显示图像,必须至少提供两组相位不同的图像,例如,通过摩尔纹干涉测量法精确对位,利用一组倾斜排列的凸透镜阵列,仅在水平方向上发生折射以便为人的左眼和右眼提供不同的透视图像,进而在大脑中将这两幅图像进行合成,以达成图像的立体显示效果。

在现有技术中,小尺寸的3D显示器的画面分辨率较低,已无法满足消费者的使用需求。为了提高分辨率,势必会增加液晶面板的扫描线的数量,以960行的栅极扫描线为例,在2D显示模式下,60Hz的工作频率其扫描时间小于17.36us,120Hz的工作频率其扫描时间小于8.68us,当栅极扫描线的数量增加一倍,变成1920行时,于3D显示模式下,60Hz的工作频率其扫描时间小于8.68us,120Hz的工作频率其扫描时间小于4.34us。又如,以1280行的栅极扫描线为例,在2D显示模式下,60Hz的工作频率其扫描时间小于13.02us,120Hz的工作频率其扫描时间小于6.51us,当栅极扫描线的数量增加一倍,变成2560行时,于3D显示模式下,60Hz的工作频率其扫描时间小于6.51us,120Hz的工作频率其扫描时间小于3.26us。也就是说,相比于2D显示模式,3D显示模式下的栅极扫描线的数量增加的同时,扫描时间也会相应地缩短。

如此一来,扫描时间缩短(即,同一扫描线的扫描信号的持续期间变短)时,对像素的充电时间也会变短,由于不同像素的像素电压会频繁切换,这样就会相当程度地造成数据线上的RC延迟增加。

有鉴于此,如何设计一种可提高画面解析度的立体显示设备,以降低栅极扫描线与源极数据线交叠(crossover)处的寄生电容,减小数据线上的RC延迟,是相关技术人员需要解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的立体显示设备在画面解析度方面所存在的上述缺陷,本发明提供了一种可提高画面解析度的立体显示设备及其制造方法。

依据本发明的一个方面,提供了一种可提高画面解析度的立体显示设备,包括:

多条栅极线,每一栅极线沿一第一方向延伸;

多条数据线,每一数据线沿一第二方向延伸,数据线与栅极线位于不同的平面,且第二方向与第一方向彼此正交;以及

一中间介质层,设置于栅极线与数据线之间,该中间介质层包括一第一介质部和一第二介质部,该第一介质部与该第二介质部分别位于栅极线的相对两侧,

其中,第一介质部和第二介质部间还具有一容置空间,该容置空间填充有一低k材料,以降低栅极线与数据线间的寄生电容。

在一实施例中,低k材料为空气或有机材料或空气与有机材料二者的混合物。进一步,有机材料的介电常数为3.3。

在一实施例中,中间介质层包括层叠的氧化硅层和氮化硅层,所述氮化硅层位于所述氧化硅层的上方,所述氮化硅层与所述氧化硅层的厚度均为3000埃。

依据本发明的另一个方面,提供了一种可提高画面解析度的立体显示设备的制造方法,该制造方法包括以下步骤:

形成多条栅极线;

形成一中间介质层于多条栅极线的上方;

形成多条数据线于该中间介质层的上方,数据线与栅极线位于不同平面,且数据线的延伸方向与栅极线的延伸方向彼此正交;

涂布一光刻胶于该中间介质层的上表面;

蚀刻该中间介质层,形成一容置空间,以便露出数据线下方的栅极线;以及

填充一低k材料于该容置空间内,以降低栅极线与数据线间的寄生电容。

在一实施例中,于上述蚀刻步骤与填充步骤之间,该制造方法还包括:移除中间介质层的上表面的所述光刻胶。

在一实施例中,该制造方法还包括:在填充有低k材料的容置空间之上形成一导电层,该导电层由氧化铟锡材料制成。

在一实施例中,上述涂布步骤还包括:涂布光刻胶于数据线的上表面,以保护该数据线。

在一实施例中,形成该中间介质层的步骤还包括:形成氧化硅层于栅极线的上方;以及形成氮化硅层于氧化硅层的上方,其中,氧化硅层与氮化硅层的厚度均为3000埃。

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