[发明专利]一种可提高画面解析度的立体显示设备及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210335706.4 申请日: 2012-09-11
公开(公告)号: CN102854678A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 徐源竣;吕思慧;李明贤 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 画面 解析度 立体 显示 设备 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种可提高画面解析度的立体显示设备,其特征在于,所述立体显示设备包括:

多条栅极线,每一栅极线沿一第一方向延伸;

多条数据线,每一数据线沿一第二方向延伸,所述数据线与所述栅极线位于不同的平面,且所述第二方向与所述第一方向彼此正交;以及

一中间介质层,设置于所述栅极线与所述数据线之间,所述中间介质层包括一第一介质部和一第二介质部,所述第一介质部与所述第二介质部分别位于所述栅极线的相对两侧,

其中,所述第一介质部和所述第二介质部之间还具有一容置空间,所述容置空间填充有一低k材料,以降低所述栅极线与所述数据线间的寄生电容。

2.根据权利要求1所述的立体显示设备,其特征在于,所述低k材料为空气或有机材料或空气与有机材料二者的混合物。

3.根据权利要求2所述的立体显示设备,其特征在于,所述有机材料的介电常数为3.3。

4.根据权利要求1所述的立体显示设备,其特征在于,所述中间介质层包括层叠的氧化硅层和氮化硅层,所述氮化硅层位于所述氧化硅层的上方,所述氮化硅层与所述氧化硅层的厚度均为3000埃。

5.一种可提高画面解析度的立体显示设备的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:

形成多条栅极线;

形成一中间介质层于所述栅极线的上方;

形成多条数据线于所述中间介质层的上方,所述数据线与所述栅极线位于不同的平面,且所述数据线的延伸方向与所述栅极线的延伸方向彼此正交;

涂布一光刻胶于所述中间介质层的上表面;

蚀刻所述中间介质层,形成一容置空间,以便露出所述数据线下方的所述栅极线;以及

填充一低k材料于所述容置空间内,以降低所述栅极线与所述数据线间的寄生电容。

6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,在上述蚀刻步骤与填充步骤之间,该制造方法还包括:

移除所述中间介质层的上表面的所述光刻胶。

7.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括:

在填充有所述低k材料的容置空间之上形成一导电层,所述导电层由氧化铟锡材料制成。

8.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,上述涂布步骤还包括:

涂布所述光刻胶于所述数据线的上表面,以保护所述数据线。

9.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,形成所述中间介质层的步骤还包括:

形成氧化硅层于所述栅极线的上方;以及

形成氮化硅层于所述氧化硅层的上方,其中,所述氧化硅层与所述氮化硅层的厚度均为3000埃。

10.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述低k材料为空气或有机材料或空气与有机材料二者的混合物。

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