[发明专利]提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法及器件结构无效
| 申请号： | 201210170372.X | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102664152A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘格致;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 载流子 迁移率 nmos 器件 制作方法 结构 | ||
1.一种提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供包含NMOS有源区和周边区域的衬底；
在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；
刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；以及
在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料。
2.根据权利要求1所述的提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于：在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构的步骤包括：
在所述衬底上形成氧化层；
在所述氧化层上形成硬掩膜层；
在所述硬掩膜层上形成图形化的光刻胶；
以所述图形化的光刻胶为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和氧化层形成图形化的硬掩膜层和图形化的氧化层；
以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底形成隔离沟槽；
在所述隔离沟槽中以及图形化的硬掩膜层上形成填充材料；
进行化学机械研磨工艺去除图形化的硬掩膜层上的填充材料；以及
进行刻蚀工艺去除隔离沟槽上方的填充材料，以形成浅沟槽隔离结构。
3.根据权利要求1所述的提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料的步骤之后，还包括：
去除剩余的图形化的硬掩膜层与所述图形化的氧化层。
4.根据权利要求1所述的提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料的步骤之后，还包括：
进行离子注入工艺形成P型阱区；
在所述NMOS有源区上形成栅极结构；以及
在所述栅极结构侧壁形成栅极侧墙。
5.根据权利要求1所述的提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于：湿法刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽。
6.根据权利要求1所述的提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于：通过外延生长的方式在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料。
7.根据权利要求1所述的提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于：所述拉应力材料为SiC。
8.根据权利要求1所述的提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅层。
9.一种采用权利要求1-8任意一项所述的制作方法制作的NMOS器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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