[发明专利]设计带隙的MOS栅功率晶体管无效
| 申请号： | 201210161457.1 | 申请日： | 2005-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102709323A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | G·多利;Q·王;I·何 | 申请（专利权）人： | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/165 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 设计 mos 功率 晶体管 | ||
1.一种MOS栅晶体管，包括：
包括源区的基体区；
与所述基体区形成pn结的漏区；以及
在所述源区和所述漏区之间延伸的栅，
其中所述源具有比所述基体区低的能隙。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅是沟槽栅。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述源包括硅锗。
4.如权利要求2所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述源区包括Si1-xGex，其中0.1<x<0.3。
5.如权利要求2所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述源区包括约10%到30%之间的锗摩尔分数。
6.一种MOS栅晶体管，包括：
包括源区的基体区；
与所述基体区形成pn结的漏区；以及
在所述源区和所述漏区之间延伸的栅，
其中所述基体区具有比所述漏区低的能隙。
7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述栅是沟槽栅。
8.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述基体区包括硅锗。
9.如权利要求7所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述基体区包括Si1-xGex，其中0.1<x<0.3。
10.如权利要求7所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述基体区包括约10%到30%之间的锗摩尔分数。
11.一种MOS栅晶体管，包括：
包括源区的基体区；
与所述基体区形成pn结的漏区；以及
在所述源区和所述漏区之间延伸的栅，
其中所述栅具有比多晶硅高的迁移率。
12.如权利要求11所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述栅是沟槽栅。
13.如权利要求12所述的MOS栅晶体管，其特征在于，所述栅包括多晶硅锗。
14.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述锗的浓度在10%到80%摩尔分数之间。
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