[发明专利]一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法

权利要求书

1.一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，在40-65nm的工艺中，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：采用高深宽比填充工艺，在一具有浅沟槽的硅衬底上沉积第一沟槽氧化物层；

步骤S2：采用等离子工艺去除部分第一沟槽氧化层，形成剩余第一沟槽氧化物层；

步骤S3：沉积第二沟槽氧化层覆盖剩余的第一沟槽氧化层，并充满浅沟槽。

2.根据权利要求1所述的提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，其特征在于，所述步骤S1中的硅衬底上设置有垫氧化物层和垫氮化物层，所述垫氧化物层覆盖硅衬底上表面，所述垫氮化物层覆盖所述垫氧化物层上表面。

3.根据权利要求2所述的提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，所述浅沟槽依次贯穿所述垫氮化物层和所述垫氧化物层，且部分嵌入所述硅衬底中。

4.根据权利要求2或3所述的提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，其特征在于，所述第一沟槽氧化物层覆盖所述浅沟槽的底部及其侧壁和所述垫氮化物层的上表面，并部分填充所述浅沟槽。

5.根据权利要求4所述的提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，其特征在于，所述步骤S2中采用等离子工艺重塑所述第一沟槽氧化层，以部分去除浅沟槽侧壁及所述垫氮化层上的第一沟槽氧化层，形成剩余第一沟槽氧化物层，减小浅沟槽的深宽比。

6.根据权利要求5所述的提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，其特征在于，所述步骤S3中采用与第一沟槽氧化层相同的沉积工艺，沉积第二沟槽氧化层以覆盖所述剩余第一沟槽氧化层，及充满浅沟槽。

7.根据权利要求1所述的提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，其特征在于，所述步骤S2中等离子工艺中采用的等离子体为Ar、Kr或Xe等离子体。