[实用新型]提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的结构有效
| 申请号： | 201120517248.7 | 申请日： | 2011-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN202339921U | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈友龙;刘宗永;许晓鹏 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 晶体管 芯片 二次 击穿 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的结构，包括设有基极（b）、集电极（c）和发射极（e）的半导体三极管的芯片（1），其特征在于：在芯片（1）的基极（b）与发射极（e）之间的P-N结上设有一圈环形隔离槽（2），环形隔离槽（2）的深度大于3μm并小于该P-N结的深度，并且在环形隔离槽（2）中填充有采用二氧化硅材料制作的绝缘材料层（3）。
2.根据权利要求1所述的提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的结构，其特征在于：环形隔离槽（2）的深度（H）为5μm～10μm。
3.根据权利要求1或2所述的提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的结构，其特征在于：环形隔离槽（2）的宽度（B）为2μm～20μm。
4.根据权利要求1所述的提高晶体管芯片抗二次击穿耐量的结构，其特征在于：在芯片（1）上、芯片（1）的外圆柱面与环形隔离槽（2）之间还设有一圈玻璃钝化隔离层（4）。
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