[实用新型]新型功率半导体集成器件无效
| 申请号： | 201120104613.1 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN202003996U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 盛况 | 申请（专利权）人： | 盛况 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 功率 半导体 集成 器件 | ||
【权利要求书】：
1.新型功率半导体集成器件，包括半导体芯片，其特征在于：所述半导体芯片上集成有左右相连的结型场效应晶体管JFET和结势垒肖特基JBS，半导体芯片的下部分由下至上依次设有漏极、N+衬底和N-外延层；所述结型场效应晶体管JFET包括P+区和N+区，P+区的上部与栅极相连，N+区的上部与源极相连；所述结势垒肖特基JBS包括P+区，P+区上部为阳极，阳极与源极相连。
2.根据权利要求1所述的新型功率半导体集成器件，其特征在于：所述的半导体芯片有多个且依次左右并联相连。
3.根据权利要求2所述的新型功率半导体集成器件，其特征在于：所述P+区至少有两个，N+区设于相邻的P+区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
