[发明专利]一种光刻技术用防尘薄膜组件

说明书

技术领域

本发明涉及光刻技术用防尘薄膜组件，特别是在大规模集成电路、超大规模集成电路等半导体装置的制造过程中作为防尘罩使用的光刻技术用防尘薄膜组件。 

背景技术

以往，在制造大规模集成电路、超大规模集成电路等的半导体器件或液晶显示板时，通常是通过向半导体晶片或液晶用原板上照射光来形成电路图案。不过，这里存在这样一个问题，即当所用的曝光原版上附着了灰尘时，由于这些灰尘会吸收或反射光，因此，会使转印的图案发生变形或边缘模糊不清，导致尺寸、品质以及外观受损，从而造成半导体装置或液晶显示板等的性能和制造成品率的下降。 

由于这个缘故，这些作业通常是在无尘室里进行，但尽管如此，要保持曝光原版总时正常也是很困难的。所以，一般是采用在曝光原版的表面贴附一个用于防尘的、对曝光用光透光性良好的防尘薄膜组件的方法。 

这个方法的优点是，由于灰尘不直接附着在曝光原版的表面，而是附着在防尘薄膜上，所以在光刻时只要把焦距对准曝光原版上的图案，防尘薄膜组件上的灰尘便与转印无关了。 

防尘薄膜组件的構成，是先往由铝、不銹钢、聚乙烯等制成的防尘薄膜组件框架的顶面涂布防尘薄膜的易溶溶剂，通过风干将由透光性良好的硝酸纤维素、醋酸纤维素或氟树脂等制成的透明防尘薄膜粘贴上去(参照专利文献1)；或者使用丙烯酸树脂、环氧树脂等粘合剂进行粘贴(参照专利文献2、专利文献3、专利文献4)。而在防尘薄膜组件框架的底面设有由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯树脂、丙烯酸树脂、硅树脂構成的粘着剂层以及保护该粘着剂层的离型层(隔离膜)。 

近年，光刻技术的分辨率在不断提高，为了实现这种高分辨率，短波长的光作为光源正逐渐得到应用。具体来说，正在从紫外线g光(436nm)向I 光(365nm)、KrF激光(248nm)过渡，最近几年又已经开始使用波长更短的ArF激光(193nm)。 

然而，随着曝光光源波长的缩短，曝光原版(光掩模)的变形翘曲对光刻图形的变形的影响变得越来越突出。 

所贴附的防尘薄膜组件的平坦度，是引起曝光原版变形翘曲的原因之 

此前，本发明人曾建议通过提高防尘薄膜组件的光掩模粘着剂层的平坦度，来抑制将防尘薄膜组件贴附于光掩模时所引起的光掩模的变形(参照专利文献5)。 

专利文献5提出把涂敷于防尘薄膜组件框架端面上的粘着剂的表面做成平坦面。 

通过该发明，光掩模的平坦度得到显着的提高。不过，尤其是在使用短波长光进行曝光时，又时常出现图像扭曲的现象。究其原因发现，是由于贴附时粘着剂层发生了变形，这种变形因粘着剂的粘着力被保持，从而残留下变形应力。 

具体来说，当把防尘薄膜组件往光掩模上贴附时，通过防尘薄膜组件安装机的加压板从防尘薄膜组件框架的粘合剂层一侧进行加压，这时，如果粘合剂层中有凸凹不平，凸起部分所受到的压力将会更大一些。因此，即使粘着剂的表面(光掩模贴附侧的表面)做得很平坦，与粘合剂层的凸起部分相对应粘着剂层将会受到更大的压力，所以结果造成粘着剂层发生变形，使其侧面向外膨胀突出从而与光掩模接触。 

当加压结束，加压板从防尘薄膜组件离开后，从压力中解放出来的防尘薄膜组件框架试图恢复原状。由于粘着剂具有一定的粘着力，突出接触的部分继续保持与光掩模接触的状态，在解除压力的同时，光掩模将受到一种拉力，其结果是由于防尘薄膜组件的贴附导致了光掩模的变形翘曲。 

专利文献 

专利文献1：特开昭58-219023号公报 

专利文献2：美国专利第4861402号说明书 

专利文献3：特公昭63-27707号公报 

专利文献4：特开平7-168345号公报 

专利文献5：特开2009-25560号公报 

发明内容

鉴于以上情况，本发明的课题是提供一种光刻技术用防尘薄膜组件，即使将其贴附于光掩模上，也很少会使光掩模发生变形。 

本发明与以往技术相比，最根本的区别在于本发明的防尘薄膜组件降低了粘着层的粘着力。具体来说，本发明的光刻技术用防尘薄膜组件，是在防尘薄膜组件框架的一个端面，借助粘合剂层绷紧粘贴有防尘薄膜，而在防尘薄膜组件框架的另一端面设有粘着剂层，该粘着剂层的光掩模贴附面为平坦面，并且其粘着力在1N/m至100N/m的范围之内(优选在4N/m至80N/m的范围之内)。优选的情况是，使前述粘着剂层的光掩模贴附面的平坦度为15μm以下，使贴附有防尘薄膜的前述粘合剂层的面的平坦度为15μm以下。