[发明专利]一种光刻技术用防尘薄膜组件无效
| 申请号： | 201110365311.4 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102466964A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 白崎享 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 技术 防尘 薄膜 组件 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻技术用防尘薄膜组件，其特征在于：在防尘薄膜组件框架的一个端面，借助粘合剂层绷紧贴附有防尘薄膜，而在另一端面设有粘着剂层，该粘着剂层的光掩模贴附面为平坦面，并且粘着剂层的粘着力在1N/m至100N/m的范围之内。
2.权利要求1所述的光刻技术用防尘薄膜组件，其中粘着剂层的粘着力在4N/m至80N/m的范围之内。
3.权利要求1或2所述的光刻技术用防尘薄膜组件，其中，上述粘着剂层的光掩模贴附表面的平坦度为15μm以下。
4.权利要求1或2或3所述的光刻技术用防尘薄膜组件，其中，贴附有防尘薄膜的前述粘合剂层表面的平坦度为15μm以下。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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