[发明专利]D类射频功率放大电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种D类射频功率放大电路。

背景技术

D类功率放大器相比E类功率放大器而言，D类功率放大器对输入电压要求不是很高，不会因为输入电压过高而引起工作在D类状态的功率放大器击穿。因此，相比于E类功率放大器，D类功率放大器的选型比较容易一般满足E类工作条件的功率放大器都可以工作在D类状态，而且由于工作在D类状态的功率放大器可以承受更高的电压使其相较于E类状态时可以输出更高的功率。由于D类功率放大器同样工作于开关状态与工作在E类状态的功率放大器一样，功率转换效率理论上可以达到100％。由于D类功率放大器的两个功率放大器工作在推挽状态与实际功率放大器的封装所带来的功率放大器的输入输出电容、饱和导通电阻以及实际输出网络不可避免的存在一定的失谐于基频，因此极大的限制了两个功率放大器工作在D类状态时的工作频率，输出功率以及工作稳定性。

图1给出了现有D类准互补电压开关型2MHz射频功率放大器的结构。该D类功率放大器的基本的工作原理为：当VT1闭合，VT2断开时，A点电压应为电源电压VCC减去T1管的饱和压降VCES。当VT1截止，VT2导通时，A点的电压就等于VT2管的饱和压降VCES。该电路存在以下缺陷：1、D类功率放大器输出网络失谐会引起对功率放大器有极大危害的负电流。2、D类功率放大器要实现高效率工作，对激励信号的波形和幅度的要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能消除负电流对D类功率放大器危害及满足D类功率放大器实现高效率工作的D类射频功率放大电路。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种D类射频功率放大电路，包括D类功率放大器及晶体管保护电路，所述D类功率放大器包括第一晶体管VT₁、第二晶体管VT₂及电压互感器，所述晶体管保护电路与所述D类功率放大器中的第一晶体管VT₁、第二晶体管VT₂连接。

进一地，所述晶体管保护电路包括二极管D₁、二极管D₂；所述二极管D₁连接在所述第一晶体管VT₁的集电级和第一晶体管VT₁的发射级之间；所述二极管D₂连接在所述第二晶体管VT₂的集电级和和第二晶体管VT₂的发射级之间。

进一地，所述晶D类射频功率放大电路还包括二个RC电路，其中，一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第一晶体管VT₁的基级之间，另一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第二晶体管VT₂的基级之间。

进一地，所述R_C电路包括电阻R_b和加速电容C_b；所述电阻R_b和加速电容C_b并联。

进一步地，所述第一晶体管VT₁、第二晶体管VT₂由三极管实现。

本发明还提供一种D类射频功率放大电路，包括D类功率放大器及二个RC电路，所述D类功率放大器包括第一晶体管VT₁、第二晶体管VT₂及电压互感器，一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第一晶体管VT₁的基级之间，另一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第二晶体管VT₂的基级之间。

进一步地，所述RC电路包括电阻R_b和加速电容C_b；所述电阻R_b和加速电容C_b并联。

进一步地，所述D类射频功率放大电路还包括晶体管保护电路，所述晶体管保护电路与所述D类功率放大器中的第一晶体管VT₁、第二晶体管VT₂连接

进一步地，所述晶体管保护电路包括二极管D₁、二极管D₂；所述二极管D₁连接在所述第一晶体管VT₁的集电级和第一晶体管VT₁的发射级之间；所述二极管D₂连接在所述第二晶体管VT₂的集电级和和第二晶体管VT₂的发射级之间。