[发明专利]D类射频功率放大电路无效
| 申请号： | 201110353586.6 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103107784A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 秦威;李勇滔;李英杰;赵章琰;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100027 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 功率 放大 电路 | ||
1.一种D类射频功率放大电路，包括D类功率放大器，所述D类功率放大器包括第一晶体管VT1、第二晶体管VT2及电压互感器，其特征在于，所述D类射频功率放大电路还包括：
晶体管保护电路，所述晶体管保护电路与所述D类功率放大器中的第一晶体管VT1、第二晶体管VT2连接。
2.根据权利要求1所述的D类射频功率放大电路，其特征在于，所述晶体管保护电路包括：
二极管D1、二极管D2；所述二极管D1连接在所述第一晶体管VT1的集电级和第一晶体管VT1的发射级之间；所述二极管D2连接在所述第二晶体管VT2的集电级和和第二晶体管VT2的发射级之间。
3.根据权利要求2所述的D类射频功率放大电路，其特征在于，所述D类射频功率放大电路还包括：
二个RC电路，其中，一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第一晶体管VT1的基级之间，另一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第二晶体管VT2的基级之间。
4.根据权利要求3所述的D类射频功率放大电路，其特征在于：
所述RC电路包括电阻Rb和加速电容Cb；所述电阻Rb和加速电容Cb并联。
5.根据权利要求1-4任一项所述的D类射频功率放大电路，其特征在于：
所述第一晶体管VT1、第二晶体管VT2分别由三极管实现。
6.一种D类射频功率放大电路，包括D类功率放大器，所述D类功率放大器包括第一晶体管VT1、第二晶体管VT2及电压互感器，其特征在于，所述D类射频功率放大电路还包括：
二个RC电路，其中，一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第一晶体管VT1的基级之间，另一所述RC电路连接在所述电压互感器和所述第二晶体管VT2的基级之间。
7.根据权利要求6所述的D类射频功率放大电路，其特征在于：
所述RC电路包括电阻Rb和加速电容Cb；所述电阻Rb和加速电容Cb并联。
8.根据权利要求7所述的D类射频功率放大电路，其特征在于，所述D类射频功率放大电路还包括：
晶体管保护电路，所述晶体管保护电路与所述D类功率放大器中的第一晶体管VT1、第二晶体管VT2连接
9.根据权利要求8所述的D类射频功率放大电路，其特征在于，所述晶体管保护电路包括：
二极管D1、二极管D2；所述二极管D1连接在所述第一晶体管VT1的集电级和第一晶体管VT1的发射级之间；所述二极管D2连接在所述第二晶体管VT2的集电级和和第二晶体管VT2的发射级之间。
10.根据权利要求5-9任一项所述的D类射频功率放大电路，其特征在于：
所述第一晶体管VT1、第二晶体管VT2分别由三极管实现。
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