[发明专利]一种提高金针菇产量的方法有效

专利信息
申请号: 201110345058.6 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN102498945A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 张海兰;万鲁长;黄春燕;张柏松;任海霞 申请(专利权)人: 山东省农业科学院农业资源与环境研究所
主分类号: A01G1/04 分类号: A01G1/04;A01G7/04
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 许德山
地址: 250100 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 金针菇 产量 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种提高金针菇产量的方法,属于农业微生物技术领域。

背景技术

金针菇是我国最早进行人工栽培的食用菌之一。肉质脆嫩、味道鲜美,营养丰富,深受人们喜爱。现有生产技术有的通过改进培养基、有的通过改进栽培工艺、出菇管理条件等来实现提高金针菇的产量的目的。例如CN101514130A(申请号200910106333.1)公开了一种高产金针菇培养基配方,以玉米芯为主要成份取代杉木屑,以40~45%的玉米芯、10~12%甜菜渣、25~30%米糠、8~10%麸皮、4~6%大豆皮、2~3%玉米粉作为金针菇的培养基原料,通过干拌、湿拌等工艺,并控制其pH值在7.0~7.5之间,培养出的金针菇具有菌丝活力强,产量高,出菇整齐,并且金针菇的商品价值好,子实体生长整齐,菌帽大小均匀,颜色浩白,没有感染,单产达创286~293克/瓶,每瓶干料260克,生物学转化率高达110~113%,比常用配方提高30~40%,经济效益好。

CN101946637A(申请号201010283584.X)公开了一种黄色金针菇设施栽培方法,它包括金针菇培养基的配置,培养基采用棉籽壳、麸皮、废棉、玉米粉和石灰作为原料,然后将配置好的培养基装袋,在高压或常压下灭菌,并在无菌操作下接入菌种,将接种菌袋放在培养室中培养发菌,当长满菌丝后,加水进行催蕾,同时对环境温度、光照等进行控制,当金针菇子实体长至16~20cm长时进行采收。根据金针菇的生长特性提供了一种易于推广的人工栽培方法,不受自然条件限制可以周年生产金针菇,经过该方法栽培出来的黄色金针菇具有品质优良、生长周期短、产量高、栽培成本低等优点。

CN 101352126A(申请号200810139160.9)公开了一种提高平菇生长速度及产量的方法,属于农业微生物技术领域。一种提高平菇生长速度及产量的方法,先将平菇菌丝通过磁场磁化处理,然后进行磁化后培养,随后采用现有成熟的平菇栽培技术,进行原种、栽培种、生产种转接,采用袋栽模式,大棚出菇。该发明通过定量控制磁场强度及处理时间,能够使平菇生产性状得到改良。

现有技术都不涉及对金针菇菌体材料的处理。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提供一种金针菇菌丝处理方法及提高金针菇产量的方法。它采用高压静电场处理金针菇菌体材料,将静电学与菌物学两个学科有机结合,实现金针菇栽培产量的大幅提高。

术语说明:

静电场处理量指实际处理菌丝时所施予的静电场强和处理时间之乘积,以S=Et表示,E为静电场强,t为处理时间。

本发明的技术方案如下:

一种提高金针菇产量的方法,包括金针菇母种制作培养、原种制作培养、袋栽或瓶栽培养、出菇管理,所述金针菇母种制作培养步骤如下:

将金针菇母种菌丝置于场强为300~1000kV/m的高压静电场中,处理10~120分钟。

优选的,上述场强为600~900kV/m,处理时间为40~80分钟。

上述金针菇母种菌丝是将金针菇菌丝接种于母种培养基上,在温度25~27℃的条件下,培养2~8天制得;

母种培养基组分如下:

去皮马铃薯150~250g,葡萄糖15~25g,磷酸二氢钾0.8~1.2g,硫酸镁0.8~1.2g,蛋白胨2.5~3.5g,酵母浸粉1.5~2.5g,琼脂18~22g,加水定容至1000ml。

上述操作步骤及培养基如无特别说明均可采用本领域常规技术。

以上所述的金针菇母种制作培养、原种制作培养、袋栽或瓶栽培养、出菇管理均采用现有成熟的金针菇栽培技术。

上述高压静电处理,采用如下装置实现:

一种用于处理金针菇菌丝的高压静电装置,包括30KV高压静电产生器1、电缆2和2块电场极板3、4,所述30KV高压静电产生器1的正极和负极分别通过电缆2与2块电场极板3、4电连接;所述30KV高压静电产生器包括直流稳压电源、方波发生器、升压器和高压整流器,所述直流稳压电源与方波发生器、升压器并联连接,方波发生器与升压器、高压整流器串联连接。

所述的2块电场极板包括上电场极板和下电场极板,所述30KV高压静电产生器的正极通过电缆与下电场极板电连接,所述30KV高压静电产生器的负极通过电缆与上电场极板电连接。

所述2块电场极板之间的距离为10-80mm。

优选的,所述2块电场极板之间的距离为30mm。

所述的2块电场极板为2块外形尺寸为50cm×50cm的有绝缘框架的金属板。

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