[发明专利]一种提高金针菇产量的方法

权利要求书

1.一种提高金针菇产量的方法，包括金针菇母种制作培养、原种制作培养、袋栽或瓶栽培养、出菇管理，其特征在于，所述金针菇母种制作培养步骤如下：

将金针菇母种菌丝置于场强为300～1000kV/m的高压静电场中，处理10～120分钟。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场强为600～900kV/m，处理时间为40～80分钟。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金针菇母种菌丝是将金针菇菌丝接种于母种培养基上，在温度25～27℃的条件下，培养2～8天制得。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，母种培养基组分如下：

去皮马铃薯150～250g，葡萄糖15～25g，磷酸二氢钾0.8～1.2g，硫酸镁0.8～1.2g，蛋白胨2.5～3.5g，酵母浸粉1.5～2.5g，琼脂18～22g，加水定容至1000ml。

5.一种用于权利要求1-4任意一项所述方法的高压静电装置，其特征在于，该装置包括30KV高压静电产生器、电缆和2块电场极板，所述30KV高压静电产生器的正极和负极分别通过电缆与2块电场极板电连接；所述30KV高压静电产生器包括直流稳压电源、方波发生器、升压器和高压整流器，所述直流稳压电源与方波发生器、升压器并联连接，方波发生器与升压器、高压整流器串联连接。

6.根据权利要求5所述的高压静电装置，其特征在于，所述的2块电场极板包括上电场极板和下电场极板，所述30KV高压静电产生器的正极通过电缆与下电场极板电连接，所述30KV高压静电产生器的负极通过电缆与上电场极板电连接。

7.根据权利要求5所述的高压静电装置，其特征在于，所述2块电场极板之间的距离为10-80mm。

8.根据权利要求7所述的高压静电装置，其特征在于，所述2块电场极板之间的距离为30mm。

9.根据权利要求5所述的高压静电装置，其特征在于，所述的2块电场极板为2块外形尺寸为50cm×50cm的有绝缘框架的金属板。

10.根据权利要求9所述的高压静电装置，其特征在于，所述的金属板为单面覆铜板，所述2块电场极板相对的面为覆铜板。