[发明专利]降低闩锁效应的功率器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种降低闩锁效应的功率器件结构：其特征在于，包括：

具有一个耐高压的第一型半导体衬底区，其上的第二型半导体基区与第一型半导体源区，漏区从背面引出；

在硅片正面，有一个埋入体内的沟槽，为第二型半导体多晶硅，通过栅氧隔离与源区和基区相连，通过侧墙与源区隔离；

在基区埋入一个第二型半导体多晶硅，与基区和源区相连；

埋入的多晶硅通过金属硅化物与源区相连。

2.如权利要求1所述的降低闩锁效应的功率器件结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过外延工艺在衬底上形成基区，并成长第一硬掩模层；

光刻产生沟槽栅区，利用第一硬掩模层刻蚀硅基板形成沟槽；

栅氧成长并填充多晶硅；

反刻多晶硅至第一硬掩模层，光刻形成源区，并刻蚀第一硬掩模层，进行源区注入；

成长第二硬掩模层；

光刻形成多晶硅埋入区域，并刻蚀打开第二硬掩模层，然后利用第二硬掩模层刻蚀沟槽；

填充多晶硅并反刻至第二硬掩模层；

全面回刻第二硬掩模层，形成侧墙；

金属硅化物成长并去除侧墙上的金属硅化物。

3.根据权利要求2所述的降低闩锁效应的功率器件结构的制造方法，其特征在于，第一硬掩模层和第二硬掩模层，其材料可以相同。

4.根据权利要求2所述的降低闩锁效应的功率器件结构的制造方法，其特征在于，第一硬掩模层和第二硬掩模层，在刻蚀过程中需要和硅有选择比，可以是SiO2，SiN或SiC及其它含掺杂的Si，O，N，C的化合物。