[发明专利]功率金属氧化物半导体器件形成方法

权利要求书

1.一种功率金属氧化物半导体器件形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有漏区、体区、源区，以及贯穿所述源区和体区，并且部分位于漏区的栅极；形成暴露所述体区的通孔；其特征在于，还包括：沿所述通孔对所述体区进行倾斜掺杂，所述倾斜掺杂的类型与体区的掺杂类型相同。

2.依据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，所述倾斜掺杂的掺杂方向与半导体衬底的法线方向的夹角为5-10度。

3.依据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，所述倾斜掺杂的掺杂离子是砷离子，掺杂能量是55-65keV，掺杂的剂量是1.0×10¹⁴-5.0×10¹⁴/cm²。

4.依据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，还包括：在所述倾斜掺杂之前或之后，沿所述通孔的底部对所述体区进行垂直掺杂，所述垂直掺杂的掺杂类型与体区的掺杂类型相同。

5.依据权利要求4所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，所述垂直掺杂的掺杂离子是砷离子，掺杂能量是55-65keV，掺杂剂量是1.0×10¹⁵-5.0×10¹⁵/cm²。

6.依据权利要求1所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，还包括：在所述倾斜掺杂之后，进行退火处理，使所掺入的杂质离子进行扩散。

7.依据权利要求6所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度是950-1050度，退火时长是10-20秒。

8.依据权利要求6所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，还包括：在所述退火处理后，在通孔表面形成粘附层；在所述粘附层表面形成填充满所述通孔的导电层，所述导电层与粘附层构成导电插塞，所述导电插塞与体区电连接。

9.依据权利要求8所述的功率金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，所述粘附层包括形成在通孔表面的氮化钛、以及形成在氮化钛层表面的钛层；或包括形成在通孔表面的氮化钽层、以及形成在氮化钽层表面的钽层。