[发明专利]浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法有效
| 申请号： | 201110257469.X | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102312293A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋毅坚;徐宏;范修军;王越 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浮区法 生长 尺寸 ta sub 方法 | ||
1.一种浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)粉料制备：将Ta2O5粉料经过球磨、烘干；
(2)料棒制备：将球磨后的Ta2O5粉料装入橡胶管中，然后放入等静压下压制成棒状的素坯棒；
(3)籽晶制备：将步骤(2)制得的素坯棒经过烧结后获得多晶棒；
(4)料棒和籽晶安装：将步骤(2)压制好的素坯棒或者经步骤(3)烧结后的多晶棒固定在单晶炉的料棒杆上作为料棒，并将步骤(3)的多晶棒放入浮区炉中作为籽晶，籽晶和料棒在竖直方向成一条直线，调节料棒和籽晶的位置，使其接触，接触点与卤素灯处于同一水平线上；
(5)晶体生长：设置升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；通过聚焦镜的移动，或者上下棒的移动，使熔区远离聚焦点，使熔区温度下降，从而实现结晶，设置晶体生长速度10～60mm/h进行晶体生长；
(6)降温冷却：将生长完的晶体冷却至室温。
2.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤(1)中粉料的球磨为12～24小时、80℃烘干时间为5～10小时。
3.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤(2)中将混合料装入橡皮管内密封后，用真空泵抽真空5～10分钟，用等静压在60～70Mpa的压力下压成棒状的料棒。
4.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤(3)的烧结温度为1450～1600℃，烧结时间为12～24小时。
5.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤(4)的籽晶是采用步骤(6)生长完的单晶作为籽晶。
6.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤(5)的晶体生长过程中，料棒和籽晶的旋转方向为反向，旋转速度为10～30rpm。
7.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤(5)的晶体生长过程中，晶体生长速度为10～60mm/h。
8.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤(6)中降温时间为0.3～3h。
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