[发明专利]提高MOS器件窄宽度效应的方法无效
| 申请号： | 201110231901.8 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931126A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 mos 器件 宽度 效应 方法 | ||
1.一种提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，包括：
提供具有浅沟槽的半导体衬底，所述浅沟槽内壁形成有衬氧化层；
向所述浅沟槽中填充绝缘氧化层，并平坦化所述绝缘氧化层形成浅沟槽隔离结构；
在所述半导体衬底上形成暴露出所述浅沟槽隔离结构的图案化掩膜层；
以所述图案化掩膜层为掩膜，向所述浅沟槽隔离结构的表层注入离子；
移除所述图案化掩膜层并快速退火，在所述浅沟槽隔离结构中形成掺杂阻挡层。
2.如权利要求1所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，采用等离子体注入和反冲注入工艺向所述浅沟槽隔离结构的表层注入离子。
3.如权利要求2所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，所述MOS器件为NMOS器件时，向所述浅沟槽隔离结构的表层注入的离子包括硼离子、氟化硼离子和铟离子中的至少一种。
4.如权利要求3所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，所述硼离子、氟化硼离子或铟离子注入的能量为1KeV～50KeV，剂量为1E15～1E16/cm2。
5.如权利要求3所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，所述MOS器件为NMOS器件时，向所述浅沟槽隔离结构的表层注入的离子还包括锗离子或氙离子。
6.如权利要求5所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，所述锗离子或氙离子注入的能量为1KeV～10KeV，剂量为5E14～5E15/cm2。
7.如权利要求1所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，所述快速退火的温度800℃～1000℃，时间为30min～120min。
8.如权利要求1所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，所述快速退火的温度1000℃～1300℃，时间为10s～1min，温度梯度为50℃/s～250℃/s。
9.如权利要求1所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，采用高深宽比工艺刻蚀所述半导体衬底形成浅沟槽。
10.如权利要求9所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，形成浅沟槽之前，还包括：
在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层。
11.如权利要求10所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，所述腐蚀阻挡层为氮化硅层。
12.如权利要求9所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，采用高深宽比工艺向所述浅沟槽中填充绝缘氧化层。
13.如权利要求1或12所述的提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，采用高密度等离子化学气相沉积工艺向所述浅沟槽中填充绝缘氧化层。
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