[发明专利]提高钛硅化物方块电阻的片上均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高钛硅化物方块电阻的片上均匀性的方法，包括步骤：

提供硅衬底，其上形成有屏蔽层；

对晶圆表面进行大剂量的硅原子离子注入，所述硅原子穿透所述屏蔽层进入所述硅衬底中，在所述硅衬底表面造成晶格损伤；

在所述屏蔽层上依次淀积介质保护层和旋涂光刻胶，并将所述光刻胶图形化，露出刻蚀窗口；

以所述光刻胶为掩模，依次干法刻蚀所述介质保护层和屏蔽层，所述刻蚀过程停止于所述屏蔽层上；

湿法刻蚀所述刻蚀窗口中剩余的屏蔽层，直至露出所述硅衬底；

以普通硅化物工艺在所述刻蚀窗口中的所述硅衬底上形成钛硅化物接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层为二氧化硅，所述介质保护层为氮化硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为所述介质保护层的厚度为

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀窗口中剩余的屏蔽层是用氢氟酸缓冲液去除的。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底上形成钛硅化物接触的步骤包括：

在晶圆表面淀积钛，在所述刻蚀窗口中的所述硅衬底上形成所述钛硅化物接触之后，用王水将其它位置的钛去除。