[发明专利]提高文件系统操作速率的方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及通信技术，尤其涉及一种提高文件系统操作速率的方法及系统。

背景技术

目前在嵌入式领域，文件系统多建在闪存（flash）介质上，flash是一种慢速设备，因此嵌入式文件系统的文件读写速度较慢，但由于一般嵌入式领域不存在很复杂的业务，使用文件存储量有限，一般32M以内，所以慢点无所谓。

但是在随着无线技术发展，文件存储量越来越大，多模情况下甚至达到1G，2G的需求，而文件访问速度受flash所限，还是原来的70-80k，甚至更少，因此大文件的读写需要很长时间，很难满足业务的要求，因此迫切需要提高文件读写速度；以256M的文件系统为例，目前业界只有128M的flash芯片，所以只能用2片来实现，其硬件结构如图1所示，256M的空间地址分布0~fffffff，用28根地址线寻址，采用串行结构，2片128 flash等于1片256 flash，地址分布从第0片的0~7ffffff，到第二片的8000000~fffffff；这种方案实现简单，软硬件实现容易，但是在读写速率上没有提高，跟在一片flash上实现128M文件系统是一样的，考虑到文件系统随着容量增大开销变大，所以读写速度比1片时更慢。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种提高文件系统操作速率的方法及系统，以有效地提高文件系统的读写速率，便于大文件系统的使用。

本发明提供了一种提高文件系统操作速率的方法，所述文件系统保存在2的n次方个闪存（flash）芯片上，所述方法包括：

改动所述flash芯片的地址线布线，其中n根地址线用来选通所述flash芯片；n为正整数。

优选地，上述提高文件系统操作速率的方法可具有如下特点：

所述操作为读操作。

优选地，上述提高文件系统操作速率的方法还可具有如下特点：

在所述改动所述flash芯片的地址线布线之后，所述方法还包括：

修改所述flash芯片的驱动代码，使选通的flash芯片并行完成操作；

修改所述flash芯片的属性信息，将块大小变为原来的2的n次方倍，缓存大小变为原来的2的n次方倍；其中，n为正整数。

优选地，上述提高文件系统操作速率的方法还可具有如下特点：

所述操作包括写操作和擦除操作。

优选地，上述提高文件系统操作速率的方法还可具有如下特点：

所述flash芯片为Nor flash芯片。

本发明提供了一种提高文件系统操作速率的系统，所述系统包括硬件设备；所述硬件设备包括2的n次方个闪存（flash）芯片、与所述flash芯片通过多根地址线相连的可擦除可编辑逻辑器件（EPLD），所述EPLD，用于使用n根地址线选通所述flash芯片，n为正整数。

优选地，上述提高文件系统操作速率的系统可具有如下特点：

所述操作为读操作。

优选地，上述提高文件系统操作速率的系统还可具有如下特点：

所述系统还包括运行在所述硬件设备上的驱动装置；

所述驱动装置，用于驱动所述EPLD选通的flash芯片并行完成操作以及修改所述flash芯片的属性信息，将块大小变为原来的2的n次方倍，缓存大小变为原来的2的n次方倍。

优选地，上述提高文件系统操作速率的系统还可具有如下特点：

所述操作包括写操作和擦除操作。

优选地，上述提高文件系统操作速率的系统还可具有如下特点：

所述flash芯片为Nor flash芯片。

上述提高文件系统操作速率的方法及系统，通过少量的改动，不增加数据线，可解决目前基站大容量文件系统写文件慢的问题，从而提高访问速度，提高系统的整体性能。

附图说明

图1为现有的flash芯片的硬件结构图； 

图2本发明的flash芯片的硬件结构图； 

图3本发明flash芯片的逻辑block示意图； 

图4本发明提高flash芯片读写速率实施例的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。