[发明专利]提高文件系统操作速率的方法及系统无效
申请号: | 201110036766.1 | 申请日: | 2011-02-12 |
公开(公告)号: | CN102081583A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 曾维新;朱伟 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李健;龙洪 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 文件系统 操作 速率 方法 系统 | ||
1.一种提高文件系统操作速率的方法,所述文件系统保存在2的n次方个闪存(flash)芯片上,所述方法包括:
改动所述flash芯片的地址线布线,其中n根地址线用来选通所述flash芯片;n为正整数。
2.根据权利要求1所述的提高文件系统操作速率的方法,其特征在于:
所述操作为读操作。
3.根据权利要求1所述的提高文件系统操作速率的方法,其特征在于:
在所述改动所述flash芯片的地址线布线之后,所述方法还包括:
修改所述flash芯片的驱动代码,使选通的flash芯片并行完成操作;
修改所述flash芯片的属性信息,将块大小变为原来的2的n次方倍,缓存大小变为原来的2的n次方倍;其中,n为正整数。
4.根据权利要求3所述的提高文件系统操作速率的方法,其特征在于:
所述操作包括写操作和擦除操作。
5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的提高文件系统操作速率的方法,其特征在于:
所述flash芯片为Nor flash芯片。
6.一种提高文件系统操作速率的系统,所述系统包括硬件设备;所述硬件设备包括2的n次方个闪存(flash)芯片、与所述flash芯片通过多根地址线相连的可擦除可编辑逻辑器件(EPLD),其特征在于:
所述EPLD,用于使用n根地址线选通所述flash芯片,n为正整数。
7.根据权利要求6所述的提高文件系统操作速率的系统,其特征在于:
所述操作为读操作。
8.根据权利要求6所述的提高文件系统操作速率的系统,其特征在于:
所述系统还包括运行在所述硬件设备上的驱动装置;
所述驱动装置,用于驱动所述EPLD选通的flash芯片并行完成操作以及修改所述flash芯片的属性信息,将块大小变为原来的2的n次方倍,缓存大小变为原来的2的n次方倍。
9.根据权利要求8所述的提高文件系统操作速率的系统,其特征在于:
所述操作包括写操作和擦除操作。
10.根据权利要求6-9任一权利要求所述的提高文件系统操作速率的系统,其特征在于:
所述flash芯片为Nor flash芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司,未经中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110036766.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池均衡充电方法及装置
- 下一篇:楔形连接器安装工具