[实用新型]一种提高开关速度的单向可控硅结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种提高开关速度的可控硅结构。

背景技术

现有的单向可控硅通常通过生成氧化层、光刻穿通环和穿通扩散步骤制作而成，这样的单向可控硅由于长基区过长，开关时间慢，影响其他部件的反应时间。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种提高开关速度的可控硅结构。

本实用新型采用的技术方案是：

一种提高开关速度的单向可控硅结构，包括可控硅片，所述可控硅片正面生成有氧化层，背面涂有硼源层，所述氧化层与硼源层之间有两个体积相同的一次穿通扩散区、二次穿通扩散区和长基区，所述二次穿通扩散区设于长基区的下侧，所述两个一次穿通扩散区设于二次穿通扩散区和长基区的左右两侧。

本实用新型的优点是：长基区短，开关速度快。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

其中：1、长基区，2、氧化层，3、硼源层，4、一次穿通扩散区，5、二次穿通扩散区。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型的一种提高开关速度的单向可控硅结构，包括可控硅片，可控硅片正面生成有氧化层2，背面涂有硼源层3，氧化层2与硼源层3之间有两个体积相同的一次穿通扩散区4、二次穿通扩散区5和长基区1，二次穿通扩散区5设于长基区1的下侧，两个一次穿通扩散区4设于二次穿通扩散区5和长基区1的左右两侧。本实用新型的优点是：长基区短，开关速度快。