[实用新型]一种提高开关速度的单向可控硅结构有效
| 申请号： | 201020240844.0 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN201804872U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 耿开远;周健;朱法扬 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226224 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 开关 速度 单向 可控硅 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高开关速度的单向可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片正面生成有氧化层，背面涂有硼源层，所述氧化层与硼源层之间有两个体积相同的一次穿通扩散区、二次穿通扩散区和长基区，所述二次穿通扩散区设于长基区的下侧，所述两个一次穿通扩散区设于二次穿通扩散区和长基区的左右两侧。
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