[实用新型]一晶粒及包含该晶粒的功率转换集成电路

权利要求书

1.一晶粒，有一晶粒拐角，所述晶粒包括：

一高端功率MOSFET，所述高端功率MOSFET具有一漏极和一源极；以及

第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘耦接至所述高端功率MOSFET的漏极，所述第一焊盘相对于晶粒拐角的的坐标为（158.3 μm ± d，2945.8 μm ± d），所述第二焊盘相对于晶粒拐角的的坐标为（398.8 μm ± d，2959.4 μm ± d），其中d小于或等于320 μm。

2.如权利要求1所述晶粒，其特征在于，还包括：

一低端功率MOSFET，所述低端功率MOSFET具有一漏极和一源极；以及

第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘，所述第三至第六焊盘耦接至高端功率MOSFET的源极和低端功率MOSFET的漏极，所述第三至第六焊盘相对于晶粒拐角的坐标分别为（599.2 μm ± d，2810.2 μm ± d）、（599.2 μm ± d，2465.1 μm ± d）、（599.2 μm ± d，2133.8 μm ± d）和（599.2 μm ± d，1791.5 μm ± d）。

3.如权利要求2所述晶粒，其特征在于，还包括：

第七焊盘、第八焊盘、第九焊盘和第十焊盘，所述第七至第十焊盘耦接至所述高端功率MOSFET的源极和所述低端功率MOSFET的漏极，所述第七至第十焊盘对于晶粒拐角的坐标分别为（379.5 μm ± d，1716.2 μm ± d）、（179.8 μm± d，1716.2 μm ± d）、（417.2 μm± d，1439.3 μm ± d）和（417.2 μm± d ，1083.2 μm ± d）。

4.如权利要求3所述晶粒，其特征在于，还包括： 

第十四焊盘、第十五焊盘、第十六焊盘、第十七焊盘、第十八焊盘和第十九焊盘，所述第十四至第十九焊盘耦接至所述低端功率MOSFET的源极，所述第十四至第十九焊盘相对于晶粒拐角的坐标分别为（1466.3 μm ± d，2815.1 μm ± d）、（1466.3 μm ± d，2469 μm ± d）、（1466.3 μm± d，2121.9 μm ± d）、（1466.3 μm ± d，1774.8 μm ± d）、（1466.4 μm ± d，1427.7 μm ± d）和（1466.4 μm ± d，1080.6 μm ± d）。

5.如权利要求4所述晶粒，其特征在于，所述高端功率MOSFET具有第一拐角、第二拐角、第三拐角和第四拐角，所述第一至第四拐角相对于晶粒拐角的坐标分别为（33.0 μm ± d，2894.3 μm ± d）、（525.3 μm ± d，2894.3 μm ± d）、（525.3 μm ± d，1767.1 μm ± d）和（33.0 μm ± d，1767.1 μm ± d）。

6.如权利要求5所述晶粒，其特征在于，所述低端功率MOSFET具有第一拐角、第二拐角、第三拐角、第四拐角、第五拐角和第六拐角，所述第一至第六拐角相对于晶粒拐角的坐标分别为（661.6 μm ± d，3040.9 μm ± d）、（1407.9 μm ± d，3040.9 μm ± d）、（1407.9 μm ± d，976.3 μm ± d）、（479.5 μm ± d，976.3 μm ± d）、（479.5 μm ± d，1545.3 μm ± d）和（661.6 μm ± d，1545.3 μm ± d）。

7.如权利要求6所述晶粒，其特征在于，所述低端功率MOSFET包括第一区域MOSFET、第二区域MOSFET和第三区域MOSFET。