[发明专利]一种提高光存储介质的纠错能力的方法

权利要求书

1.一种提高光存储介质纠错能力的方法，步骤包括：先生成纠错码块，再把纠错码块写入光学储存介质，其特征在于，所述生成纠错码块的步骤包括：

A、将以字节为单位的数据进行排列，按照行优先的顺序排列成M行×N列的数据块；

B、将连续的K个(M行×N列)数据块按列方向排列在一起，形成(K×M)行×N列的矩阵块；

C、在数据块N列的每一列末尾分别加入K字节的第一纠错校验字，形成N个长度为(K×M+K)字节的第一码字；

在数据块(K×M+K)行的每一行末尾分别加入P字节的第二纠错校验字，形成(K×M+K)个长度为(N+P)字节的第二码字；

D、将K行第一纠错校验字依次插入到K个(M行×N列)数据块的下面，其中，每一个M行数据下方包含一行的第一纠错校验字，形成K×(M+1)行×(N+P)列的数据写入格式，最终生成纠错码块。

2.如权利要求1所述的提高光存储介质纠错能力的方法，其特征在于，所述步骤A中，在M行×N列的数据块中，包含2060字节的数据，其中，2048个字节为用户数据，其余12个字节用以记录附加信息。

3.如权利要求1所述的纠错码块生成方法，其特征在于，所述步骤A中，在M行×N列的数据块中，M为10字节，并且N为206字节。

4.如权利要求1所述的纠错码块生成方法，其特征在于，所述步骤B、C和D中，M＝10，并且N＝206。

5.如权利要求1所述的纠错码块生成方法，其特征在于，所述步骤C中，第一纠错校验字是通过对每一列数据进行预定函数F1计算得到的，即(P1，P2，...，P(K))＝F1(M1，M2，...，M(K×M))，其中，

M1，M2，...，M(K×M)表示每一列的K×M个数据；P1，P2，...，P(K)表示生成的K个字节的第一纠错校验字。

6.如权利要求1所述的纠错码块生成方法，其特征在于，所述步骤C中，第二纠错校验字是通过对每一行数据进行预定函数计算得到的，即(Q1，Q2，...，Q(K×M+K))＝F2(N1，N2，...，N(n))，其中，

N1，N2，...，N(n)表示每一行的n个数据；Q1，Q2，...，Q(K×M+K)表示生成的(K×M+K)个字节的第二纠错校验字。

7.如权利要求1所述的纠错码块生成方法，其特征在于，所述步骤B中，K＝16。

8.如权利要求1所述的纠错码块生成方法，其特征在于，所述步骤C中，P＝10。