[发明专利]一种厚尺寸多晶硅氢化炉用炭/炭保温罩的制备方法有效
| 申请号: | 201010550732.X | 申请日: | 2010-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN102030555A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
| 发明(设计)人: | 肖志超;李树芳;李永军;苏君明;侯卫权;姚成君 | 申请(专利权)人: | 西安超码科技有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/83 | 分类号: | C04B35/83 |
| 代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
| 地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 尺寸 多晶 氢化 炉用炭 保温 制备 方法 | ||
1.一种厚尺寸多晶硅氢化炉用炭/炭保温罩的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)采用炭布与短炭纤维制备准三向预制体;所述准三向预制体的密度为0.20g/cm3~0.50g/cm3,厚度为100mm~220mm;
(2)在常温下将环氧树脂、稀释剂和固化剂按100∶5~10∶8~20的质量比混合制成环氧树脂胶液;所述稀释剂为酒精、丙酮、甲苯或环氧树脂活性稀释剂,所述固化剂为二乙烯三胺、乙二胺、三乙烯四胺或聚酰胺;
(3)将步骤(2)中所述环氧树脂胶液喷涂或刷涂于步骤(1)中所述准三向预制体表面形成厚度为0.5mm~5mm的涂层,然后将形成涂层后的准三向预制体固化使准三向预制体表面硬化定型;
(4)将步骤(3)中经固化后的准三向预制体置于浸渍罐中,采用氨酚醛树脂作为浸渍剂,在抽真空条件下浸渍4h~12h;所述氨酚醛树脂的粘度为150mPa·s~500mPa·s,所述氨酚醛树脂的固体含量为40%~60%;
(5)将步骤(4)中经浸渍后的准三向预制体置于炭化炉中,在抽真空的条件下进行炭化处理,当准三向预制体的密度达到0.60g/cm3~0.90g/cm3时停止炭化处理,随炉冷却得到预制体;
(6)将步骤(5)中所述预制体进行机械加工,然后将机械加工后的预制体置于化学气相沉积炉中进行CVD涂层处理,待预制体表面形成厚度为5μm~150μm的涂层后停止CVD涂层处理,随炉冷却即得到直径为1000mm~1800mm,高度为200mm~1500mm,厚度为80mm~220mm的多晶硅氢化炉用炭/炭保温罩。
2.根据权利要求1所述的一种厚尺寸多晶硅氢化炉用炭/炭保温罩的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述环氧树脂活性稀释剂为丁基缩水甘油醚、环氧丙烷丁基醚、环氧丙烷苯基醚或乙二醇二缩水甘油醚。
3.根据权利要求1所述的一种厚尺寸多晶硅氢化炉用炭/炭保温罩的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述固化的制度为:在常温下放置48h以上固化或置于固化炉内在温度为40℃~80℃的条件下固化2h~8h。
4.根据权利要求1所述的一种厚尺寸多晶硅氢化炉用炭/炭保温罩的制备方法,其特征在于,步骤(5)中所述炭化处理的温度为900℃~1200℃。
5.根据权利要求1所述的一种厚尺寸多晶硅氢化炉用炭/炭保温罩的制备方法,其特征在于,步骤(6)中所述CVD涂层处理的制度为:采用丙烯或天然气作为前驱体,在温度为800℃~1100℃的条件下进行CVD涂层处理。
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