[发明专利]一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法有效
| 申请号: | 201010215105.0 | 申请日: | 2010-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN101863677A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
| 发明(设计)人: | 林铁松;何鹏;杨敏旋 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | C04B37/00 | 分类号: | C04B37/00 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 原位 自生 tib 提高 陶瓷 钎焊 接头 强度 方法 | ||
1.一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法按以下步骤进行:一、按质量百分比称取40%~75%的Ag粉、20%~40%的Cu粉、1%~10%的TiB2粉及4%~10%的TiH2粉并加入到球磨机中,在Ar气保护下,以300转/分~350转/分的速度球磨1h~5h,得到复合钎料;二、将陶瓷件的待焊接面用丙酮清洗并烘干;三、按复合钎料与粘结剂的体积比为1:0.5~2称取经步骤一得到的复合钎料与粘结剂,并将复合钎料与粘结剂混合均匀,涂覆在经步骤二处理的陶瓷件的待焊接面上,涂覆层的厚度为50μm~300μm,得到待焊件;四、将经步骤三得到的待焊件放入真空钎焊炉中,先抽真空至5×10-4Pa~2×10-3Pa,以20℃/min升温至450℃,保温10min~30min后,再以10℃/min的速度升温至750℃,保温20min~40min后,再以10℃/min速度升温至900℃~1000℃,保温5min~30min后,再以3℃/min~6℃/min速度降温至450~300℃,再随炉冷却至常温,得到原位自生增强相的陶瓷钎焊接头。
2.根据权利要求1所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤三中所述的粘结剂按质量百分比由1%的丙三醇、3%的蒸馏水和96%的羟乙基纤维素混合而成。
3.根据权利要求1或2所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤一中按质量百分比称取41%~71%的Ag粉、22%~35%的Cu粉、2%~8%的TiB2粉及5%~8%的TiH2粉。
4.根据权利要求3所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤一中球磨机的转速为310转/分~340转/分、球磨时间为1.5h~4.5h。
5.根据权利要求3所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤一中球磨机的转速为320转/分、球磨时间为3.0h。
6.根据权利要求1、2或4所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤三中复合钎料与粘结剂的体积比为1:0.8~1.8、涂覆层的厚度为100μm~200μm。
7.根据权利要求6所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤四中真空钎焊炉的真空度为8×10-4Pa~1.5×10-3Pa。
8.根据权利要求1、2、4或7所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤四中真空钎焊炉在450℃时的保温时间为12min~28min,在750℃时的保温时间为25min~38min,然后升温至920℃~980℃,保温8min~28min,再以3.5℃/min~5.5℃/min速度降温至430~320℃。
9.根据权利要求1、2、4或7所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤四中真空钎焊炉在450℃时的保温时间为20min,在750℃时的保温时间为30min,然后升温至950℃,保温20min,再以4℃/min速度降温至380℃。
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