[发明专利]一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法有效

专利信息
申请号: 201010215105.0 申请日: 2010-07-01
公开(公告)号: CN101863677A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 林铁松;何鹏;杨敏旋 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B37/00 分类号: C04B37/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 原位 自生 tib 提高 陶瓷 钎焊 接头 强度 方法
【权利要求书】:

1.一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法按以下步骤进行:一、按质量百分比称取40%~75%的Ag粉、20%~40%的Cu粉、1%~10%的TiB2粉及4%~10%的TiH2粉并加入到球磨机中,在Ar气保护下,以300转/分~350转/分的速度球磨1h~5h,得到复合钎料;二、将陶瓷件的待焊接面用丙酮清洗并烘干;三、按复合钎料与粘结剂的体积比为1:0.5~2称取经步骤一得到的复合钎料与粘结剂,并将复合钎料与粘结剂混合均匀,涂覆在经步骤二处理的陶瓷件的待焊接面上,涂覆层的厚度为50μm~300μm,得到待焊件;四、将经步骤三得到的待焊件放入真空钎焊炉中,先抽真空至5×10-4Pa~2×10-3Pa,以20℃/min升温至450℃,保温10min~30min后,再以10℃/min的速度升温至750℃,保温20min~40min后,再以10℃/min速度升温至900℃~1000℃,保温5min~30min后,再以3℃/min~6℃/min速度降温至450~300℃,再随炉冷却至常温,得到原位自生增强相的陶瓷钎焊接头。

2.根据权利要求1所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤三中所述的粘结剂按质量百分比由1%的丙三醇、3%的蒸馏水和96%的羟乙基纤维素混合而成。

3.根据权利要求1或2所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤一中按质量百分比称取41%~71%的Ag粉、22%~35%的Cu粉、2%~8%的TiB2粉及5%~8%的TiH2粉。

4.根据权利要求3所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤一中球磨机的转速为310转/分~340转/分、球磨时间为1.5h~4.5h。

5.根据权利要求3所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤一中球磨机的转速为320转/分、球磨时间为3.0h。

6.根据权利要求1、2或4所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤三中复合钎料与粘结剂的体积比为1:0.8~1.8、涂覆层的厚度为100μm~200μm。

7.根据权利要求6所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤四中真空钎焊炉的真空度为8×10-4Pa~1.5×10-3Pa。

8.根据权利要求1、2、4或7所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤四中真空钎焊炉在450℃时的保温时间为12min~28min,在750℃时的保温时间为25min~38min,然后升温至920℃~980℃,保温8min~28min,再以3.5℃/min~5.5℃/min速度降温至430~320℃。

9.根据权利要求1、2、4或7所述的一种原位自生TiB晶须提高陶瓷钎焊接头强度的方法,其特征在于步骤四中真空钎焊炉在450℃时的保温时间为20min,在750℃时的保温时间为30min,然后升温至950℃,保温20min,再以4℃/min速度降温至380℃。

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