[发明专利]半导体堆叠体及利用半导体堆叠体的功率转换装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体堆叠体(stack)及利用半导体堆叠体的三相旋转电机用功率转换装置。

背景技术

现有功率转换装置中所使用的半导体堆叠体由层叠基板、多个开关元件及电解电容器来构成(例如参照专利文献1)。

层叠基板通过将正极侧的导体板和负极侧的导体板经由绝缘板层叠来构成。各开关元件的正极侧的端子及负极侧的端子分别与层叠基板的正极侧的导体板及负极侧的导体板相连接。另外，电解电容器的正极侧的端子及负极侧的端子分别与层叠基板的正极侧的导体板及负极侧的导体板相连接。

多个开关元件在上下方向上成列地安装在层叠基板的表面上。另外，电解电容器配置在多个开关元件的各列的延长线上。

专利文献1：日本专利特开平7-131981号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在上述半导体堆叠体中，由于电解电容器配置在多个开关元件的各列的延长线上，因此各开关元件与电解电容器之间的距离不一致。因此，在靠近电解电容器的开关元件中有大电流流过，各开关元件间的电流变得不平衡。

解决技术问题所采用的技术方案

为了解决上述问题，本发明所涉及的半导体堆叠体包括：层叠基板，其通过将第一导体板、第二导体板及第三导体板经由绝缘板重叠在一起来形成，上述第一导体板、上述第二导体板及上述第三导体板上分别形成有第一电极、第二电极和第三电极；多个半导体模块，其成列地配置在上述层叠基板的一个面上，与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接；多个第一电解电容器，其形成与上述多个半导体模块的列平行的列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第一电极和上述第二电极相连接；多个第二电解电容器，其与上述多个第一电解电容器形成同一列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第二电极和上述第三电极相连接；多个熔断器，其配置在上述层叠基板的另一个面上，分别与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接。

另外，为了解决上述问题，本发明所涉及的使用三相旋转电机的功率转换装置包括：层叠基板，其通过将第一导体板、第二导体板及第三导体板经由绝缘板重叠在一起来形成，上述第一导体板、上述第二导体板及上述第三导体板上分别形成有第一电极、第二电极和第三电极；多个半导体模块，其成列地配置在上述层叠基板的一个面上，与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接；多个第一电解电容器，其形成与上述多个半导体模块的列平行的列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第一电极和上述第二电极相连接；多个第二电解电容器，其与上述多个第一电解电容器形成同一列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第二电极和上述第三电极相连接；多个熔断器，其配置在上述层叠基板的另一个面上，分别与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接。

发明效果

本发明所涉及的半导体堆叠体能够很好地平衡各半导体模块间的电流。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的正面立体图。

图2是本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的分解立体图。

图3是本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的立体图。

图4是表示本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的电路结构的一部分的图。

附图标记说明

1…半导体堆叠体、2…层叠基板、3…半导体模块、4…电解电容器、5…熔断器、6…冷却用散热片、7…直流侧电极、21…第一导体板、22…第二导体板、23…第三导体板、24…绝缘板、25…连接孔、26…层叠导体的长边方向、27…层叠导体的短边方向

具体实施方式

(第一实施方式)

利用图1至图4来说明在本发明的第一实施方式所涉及的三相旋转电机用功率转换装置中使用的半导体堆叠体。图1是本实施方式所涉及的半导体堆叠体的正面立体图。图2是本实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的分解立体图。图3是本实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的立体图。图4是表示本实施方式所涉及的半导体堆叠体的电路结构的一部分的图。

通过在层叠基板2的表面上安装半导体模块3、电解电容器4、熔断器5及冷却用散热片6，来构成本实施方式所涉及的半导体堆叠体1。

首先，利用图4来说明半导体堆叠体1的电路结构。