[实用新型]高功率因素的交流负载驱动电路无效
申请号: | 200920001673.3 | 申请日: | 2009-01-13 |
公开(公告)号: | CN201365190Y | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 林国尊 | 申请(专利权)人: | 林国尊 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42;H02M5/293 |
代理公司: | 广东国欣律师事务所 | 代理人: | 李 文 |
地址: | 中国台湾台中市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 因素 交流 负载 驱动 电路 | ||
1.一种高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于,包含有:
一功率元件单元,具有一功率元件以及一功率元件驱动电路,其中该功率元件驱动电路连接于一PWM信号源且连接于该功率元件,用以受该PWM信号源的控制而驱动该功率元件;
一桥式整流单元;
第一反馈回路以及第二反馈回路,用以并联于一交流负载,该第一反馈回路连接于一交流电源的第二端,且该第一及第二反馈回路分别具有一晶体管以及一续流二极管,该第一及第二反馈回路交互地作用于该交流电源的正半周及负半周;该第二反馈回路以及该交流电源的第一端连接于该桥式整流单元的相对两端,该功率元件以及一接地端连接于该桥式整流单元的另相对两端;
该PWM信号源的信号频率在20kHz以上。
2.根据权利要求1所述的高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于:该PWM信号源的信号频率在20kHz-400kHz之间。
3.根据权利要求1所述的高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于:该第一反馈回路以及该第二反馈回路的晶体管为NPN型功率晶体管。
4.根据权利要求1所述的高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于:该第一反馈回路以及该第二反馈回路分别包含有一个二极管。
5.根据权利要求4所述的高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于:该第一反馈回路以及该第二反馈回路分别包含有至少一第一二极管以及至少一第二二极管,该第一二极管并联于该第一反馈回路的二极管,该第二二极管并联于该第二反馈回路的二极管。
6.根据权利要求4所述的高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于:该第一反馈回路以及该第二反馈回路分别包含有一第一电容以及一第二电容。
7.根据权利要求1所述的高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于:该第一反馈回路的晶体管连接于该第二反馈回路的续流二极管;该第二反馈回路的晶体管连接于该第一反馈回路的续流二极管。
8.根据权利要求1所述的高功率因素的交流负载驱动电路,其特征在于,还包含有:一滤波单元,连接于该交流电源与该桥式整流单元与该第一反馈回路之间,用以去除交流电源电磁干扰的杂讯;该滤波单元连接于该交流电源的第一端以及第二端,并且连接于该桥式整流单元以及该第一反馈回路。
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