[发明专利]无桥式功率因子校正电路有效

专利信息
申请号: 200910146733.5 申请日: 2009-06-22
公开(公告)号: CN101931319A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 马小林;吴小敏 申请(专利权)人: 康舒科技股份有限公司
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张磊
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 无桥式 功率 因子 校正 电路
【权利要求书】:

1.一种无桥式功率因子校正电路,包含有:

一第一电感,其一端连接一交流电源的第一输出端,另端连接一第一串联电路,该第一串联电路以第一二极管与第一开关串联构成,该第一二极管的阳极与第一开关的连接节点连接该第一电感的该另一端;

一第二电感,其一端连接该交流电源的第二输出端,另一端连接一第二串联电路,该第二串联电路以第二二极管与第二开关串联构成,该第二二极管的阳极与第二开关的连接节点连接该第二电感的该另一端;

一负载电路,由一输出电容与一输出负载并联构成,该负载电路的两端分别作为一直流输出端与一直流接地端,其中,前述两串联电路与负载电路并联连接;

一第一输入开关,连接至交流电源的第一输入端与该直流接地端之间;

一第二输入开关,连接于交流电源的第二输入端与该直流接地端之间。

2.如权利要求1所述的无桥式功率因子校正电路,该第一输入开关与第二输入开关共同连接到一检测电阻的一端,该检测电阻的另一端连接该直流接地端。

3.如权利要求1或2所述的无桥式功率因子校正电路,该第一输入开关与第二输入开关皆为金属氧化物半导体(MOS)晶体管。

4.如权利要求1或2所述的无桥式功率因子校正电路,其中:

该交流输入电源输出正半周电压时,控制第二输入开关为常导通状态,第一输入开关与第二开关处于恒截止状态,第一开关控制为交替地导通/截止;

该交流输入电源输出负半周电压时,控制第一输入开关为常导通状态,第二输入开关与第一开关处于恒截止状态,第二开关控制为交替地导通/截止。

5.如权利要求1或2所述的无桥式功率因子校正电路,该交流电源的两输出端与第一电感和第二电感之间连接有一电磁干扰滤波器。

6.如权利要求1所述的无桥式功率因子校正电路,进一步包含:

一第一电流互感器,与第一串联电路串联;

一第二电流互感器,与第二串联电路串联;

一第三电流互感器,连接在第二二极管的阴极与输出电容之间。

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