[发明专利]一种大容量功率型热敏电阻及其制备方法有效
申请号: | 200910013606.8 | 申请日: | 2009-01-04 |
公开(公告)号: | CN101492290A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 刘倩;陶明德;赵治海 | 申请(专利权)人: | 山东中厦电子科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/45 | 分类号: | C04B35/45;C04B35/622;G01K7/22 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人: | 张贵宾 |
地址: | 274000山东省菏泽市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 容量 功率 热敏电阻 及其 制备 方法 | ||
(一)技术领域
本发明涉及负温度系数热敏电阻及其制备技术,尤其涉及一种大 容量功率型热敏电阻及其制备方法。
(二)背景技术
功率型负温度系数热敏电阻是电路、电气设备、电力系统的保护 元件,用以吸收电路中的浪涌电流,保护电路元器件免遭浪涌电流冲 击而损坏。提高功率型热敏电阻的额定电流容量,减小元件的体积和 降低元件的制造成本是目前功率型热敏电阻设计和制造的重要课题。
功率型热敏电阻的电流承载能力决定于热敏电阻的体温。热敏电 阻的温升取决于热敏电阻的热能量大小和散热情况。通常的方法是以 增大热敏电阻的体积来减小温升,进而提高电流容量。所以热敏芯片 越大,通过的电流越大,如额定电流为10A的芯片直径30mm。芯片 体积增大,用料增加,元件的制造成本亦增加。降低热敏电阻体的温 升的有效途径是提高材料配方中的Ni或Co的比例,提高材料的B值, 减小残留电阻,但增大Ni和Co的比例会大大提高了材料成本。迄今 为止,还没有更有效方法来提高圆片式功率型热敏电阻的额定电流和 降低元件的成本。
(三)发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足,提供了一种额定电流容量高、 体积小、制造成本低的大容量功率型热敏电阻及其制备方法。
本发明是通过如下技术方案实现的:
本发明的大容量功率型热敏电阻,其特殊之处在于:热敏材料的 主配方为Mn-Zn-Cu对应的氧化物,其中加入CaO,Al2O3和Nb2O5作为 掺杂物,并用陶瓷工艺做成热敏电阻。
本发明的大容量功率型热敏电阻,主配方内原子摩尔比为Mn∶Zn∶ Cu=2.5-3.5∶0.5-1.5∶2.0-2.5,对应的氧化物为Mn3O4、ZnO、CuO。
本发明的大容量功率型热敏电阻,掺杂物中每种占主配方氧化物 的重量百分比为:CaO 2-3%,Al2O3 0.2-0.5%,Nb2O5 0.1-0.3%, 掺杂物粉体粒度小于300目,加入主配方的氧化物中一起球磨。
本发明的大容量功率型热敏电阻,结构为圆环形结构,外圆直径 D与内圆直径d之比为d/D≥0.3。
本发明的大容量功率型热敏电阻的制备方法,由以下步骤依次组 成:称料、球磨、造粒、成型、烧结、电极印刷、引线焊接和包封, 其特殊之处在于:烧结步骤的烧结成瓷温度为1080-1100℃,具体烧 结条件是:
室温-500℃ 升温速率0.6℃/min
500℃ 恒温度60min
500℃-800℃ 升温速率1.2℃/min
800℃ 保温度60min
800℃-成瓷温度 升温速率1.2-1.5℃/min
成瓷温度 保温120-210min
成瓷温度-800℃ 降温速率1.5℃/min
800℃-200℃ 随炉降温后取出。
本发明的大容量功率型热敏电阻的制备方法,成型步骤中,将造 粒料用环型模具压成圆环型的坯片,成型的密度为3.2-3.6g/cm3, 圆片厚度为4mm,圆环的外直D和内直径d之比,即d/D≥0.3。
本发明的大容量功率型热敏电阻的制备方法,球磨步骤中,将主 配方氧化物和掺杂物混合,按照重量比料∶水∶磨球=1.0∶1.1∶1.5,磨 球为锆球,球磨8小时,然后在90℃温度烘干至每千克料含水量为 0.4克。
本发明的大容量功率型热敏电阻的制备方法,造粒步骤中,在球 磨烘干后的主配方氧化物与掺杂物的混合粉料中加入占粉料总重量 20-25%的重量浓度为10%的聚乙烯醇溶液作为粘合剂进行造粒,粒度 为60-200目。
本发明的大容量功率型热敏电阻的制备方法,芯片双面印刷银电 极,用镀锡铜线或铜片焊在芯片两面,并包封环氧树脂。
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