[发明专利]功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局无效
| 申请号： | 200810074311.7 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101510559A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李信明;张志恒 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 布局 | ||
1.一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，包括：
漏极区域，位于一基底中；
栅极结构层，位于该基底上，围绕该漏极区域的周边；
源极区域，位于该基底中，且分布于该栅极结构层的外围周边；以及
基极区域，与该源极区域相邻，位于该源极区域的外围，
其中该源极区域是连续或是断续环绕该栅极结构层的外围周边。
2.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该栅极 结构层包括叠置的一栅极介电层与一栅极层。
3.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该基极 区域会与相邻的另一功率金属氧化物半导体元件共用。
4.一种功率金属氧化物半导体晶体管结构，包括：
第一晶体管元件，其包含有：
第一漏极区域，位于一基底中；
第一栅极结构层，位于该基底上，围绕该第一漏极区域的周边；以 及
第一源极区域，位于该基底中，且分布于该第一栅极结构层的外围 周边；
第二晶体管元件，其相邻于该第一晶体管元件，该第二晶体管元件包含 有：
第二漏极区域，位于该基底中；
第二栅极结构层，位于该基底上，围绕该第二漏极区域的周边；以 及
第二源极区域，位于该基底中，且分布于该第二栅极结构层的外围 周边；以及
基极区域，相邻于该第一源极区域与该第二源极区域，并位于该第一与 第二源极区域的外围，
其中该第一源极区域连续或断续环绕该第一栅极结构层的外围周边。
5.如权利要求4所述的功率金属氧化物半导体晶体管结构，其中该第一 与第二栅极结构层皆包括叠置的一栅极介电层与一栅极层。
6.如权利要求4所述的功率金属氧化物半导体晶体管结构，其中该第一 晶体管元件与该第二晶体管元件共用该基极区域。
7.如权利要求4所述的功率金属氧化物半导体晶体管结构，其中该第一 栅极结构层与该第二栅极结构层相连。
8.如权利要求7所述的功率金属氧化物半导体晶体管结构，其中该第一 栅极结构层与该第二栅极结构层的相连处具有至少一接触窗结构。
9.如权利要求4所述的功率金属氧化物半导体晶体管单元，其中该漏极 区域的形状是规则四边形。
10.如权利要求4所述的功率金属氧化物半导体晶体管单元，其中该漏极 区域的形状是规则直角四边形。
11.一种功率金属氧化物半导体晶体管布局，包括：
多个晶体管单元，构成一晶体管阵列，其中该晶体管阵列至少包括：
第一晶体管元件，其包含有：
第一漏极区域，位于一基底中；
第一栅极结构层，位于该基底上，围绕该第一漏极区域的周边；以 及
第一源极区域，位于该基底中，且分布于该第一栅极结构层的外围 周边；
第二晶体管元件，其相邻于该第一晶体管元件，该第二晶体管元件包含 有：
第二漏极区域，位于该基底中；
第二栅极结构层，位于该基底上，围绕该第二漏极区域的周边；以 及
第二源极区域，位于该基底中，且分布于该第二栅极结构层的外围 周边；以及
基极区域，相邻于该第一源极区域与该第二源极区域，并位于该第一与 第二源极区域的外围，
其中该第一源极区域连续或断续环绕该第一栅极结构层的外围周边。
12.如权利要求11所述的功率金属氧化物半导体晶体管布局，其中该第 一与第二栅极结构层皆包括叠置的一栅极介电层与一栅极层。
13.如权利要求11所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该第 一晶体管元件与该第二晶体管元件共用该基极区域。
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