[发明专利]可提高分辨率的CCD像元的几何形状无效
申请号: | 200810050583.3 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101257034A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 翟林培;丁亚林;翟岩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人: | 刘树清 |
地址: | 130033吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 分辨率 ccd 几何 形状 | ||
1、可提高分辨率的CCD像元的几何形状,其特征在于用相交的两条直线或曲线,且交点在像元内,将传统的CCD像元划分出四个面积相等的子区,本发明所指的CCD像元的几何形状,是去掉其中任意一个子区后形成的像元的几何形状。
2、按权利要求1所述的可提高分辨率的CCD像元的几何形状,其特征在于正方形像元去掉左上子区块后的CCD像元的几何形状是通过相交的两条直线垂直,交点在像元中心,两条直线垂直像元边线,将正方形像元分成四个面积相等的子区,去掉左上子区后形成的CCD像元的几何形状;按应用要求也可以采用去掉其中任何一个子区后形成的CCD像元的几何形状。
3、按权利要求1所述的可提高分辨率的CCD像元的几何形状,其征在于正方形像元去掉上部对角线间子区块后的CCD像元的几何形状,是通过相交的两条直线垂直,交点在像元中心,两条直线分别与正方形像元的对角线重合,将正方形像元分成四个面积相等的子区,去掉上部一个子区后形成的CCD像元的几何形状;按应用要求也可以采用去掉其中任意一个子区后形成的CCD像元的几何形状。
4、按权利要求1所述的可提高分辨率的CCD像元的几何形状,其在于长方形像元去掉右下子区块后的CCD像元的几何形状是通过两条直线互相垂直,交点在像元内且两条直线分别垂直像元的边线,将长方形像元分成四个面积相等的子区,去掉右下一个子区后形成的CCD像元的几何形状;按应用要求也可以选择去掉其中任意一个子区后形成的CCD像元的几何形状。
5、按权利要求1所述的可提高分辨率的CCD像元的几何形状,其在于长方形像元去掉右长边相对,对角线间子块后的CCD像元的几何形是通过长方形像元的中心,连接两条对角线,将长方形像元分成四个面积相等的子区,去掉右长边相对的子区后形成的CCD像元的几何形状;按应用要求也可以选择去掉其中任意一个子区后形成的CCD像元的几何形状。
6、按权利要求1所述的可提高分辨率的CCD像元的几何形状,其特征在于正八边形像元去掉左上子区后的CCD像元的几何形状是通过正八边形像元的中心,作八边形对边的垂线,将正八边形像元分成四个面积相等的子区,去掉左上子区后形成的CCD像元的几何形状;按应用要求也可以选择去掉其中任意一个子区后形成的CCD像元的几何形状。
7、按权利要求1所述的可提高分辨率的CCD像元的几何形状,其特征在于正八边形像元去掉一个顶角两边与正八边形中心的连线构成的子块后的CCD像元的几何形状是通过连接正八边形像元对顶角,将正八边形像元分成四个面积相等的子区,去掉右偏下一个子区后形成的CCD像元的几何形状;按应用要求也可以选择去掉其中任意一个子区后形成的CCD像元的几何形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的