[发明专利]一种提高SiC-C阻氢(氚)涂层对基体金属材料粘着性能的方法

权利要求书

1、采用能量粒子轰击与物理气相沉积工艺相结合的方法制备中间过渡层，这种沉积的中间过渡层不仅提高SiC-C涂层对基体的粘着性能，而且有利于SiC-C涂层的阻氢(氚)效果的提高。其特征包括以下几点：

1).基体材料表面经研磨抛光后，进行常规清洗烘干以消除表面脏物，放入真空室，真空室本底真空度达6×10^-4Pa以上。

2).对基体表面采用物理溅射方法进行清洗，消除表面污染如自然氧化物膜，并进行活化。

3).采用物理气相沉积方法沉积中间过渡层，当达到一定厚度后，再用一定能量的离子进行轰击，使该层材料与基体进行混合。

4).然后沉积一定厚度的SiC-C，用Ar⁺离子轰击，使SiC-C层与过渡层发生混合。

5).继续进行SiC-C涂层的制备，以达到所要求的厚度。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于基体金属材料可以是Fe基材料，也可以是有色金属材料。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：中间过渡层用的材料不仅可以采用Cu，还可以采用W、Mo等。

4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于放入真空室后的试样表面的再清洗是通过离子束溅射清洗或电子束扫描加热清洗。

5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于离子束溅射清洗时离子束能量为20-30KeV，束流密度在10mA/cm²左右。

6、根据权利要求4所述的方法，其特征在于电子束扫描清洗基体表面时能量为15～30KeV，功率密度为5×10⁴～1×10⁵W/cm²。

7、根据权利要求1所述沉积过渡层的方法，其特征在于沉积时可以采用直流磁控溅射，也可以采用中频磁控溅射，沉积后采用离子轰击的离子束混合技术沉积中间过渡层。

8、根据权利要求1所述沉积过渡层的方法，其特征在于沉积10-20nm左右厚度的过渡层，然后用能量为30-80KeV的Ar⁺离子或其他惰性气体离子进行轰击，使过渡层与基体进行原子级的混合。

9、根据权利要求1所述的方法，其特征在于沉积过渡层后SiC-C涂层的沉积厚度约30nm时，再用40KeV左右的Ar⁺离子轰击使其与过渡层发生原子级的混合。