[发明专利]提高闪存介质数据存取速度的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储介质领域，特别涉及一种提高闪存介质数据存取 速度的方法。

背景技术

随着半导体存储技术的发展，以闪存介质作为数据存储介质的存储装置 如闪存盘已较为普及，而此类存储装置的主要成本是闪存介质芯片。而生产 闪存介质芯片的厂家越来越多，各厂家生产的闪存介质芯片的类型和所使用 的技术也可能存在较大差异，旨在提高闪存介质芯片数据读写速度的技术也 是不断更新，如外部交叉读写技术（interleave）、内部交叉读写技术、多阶 读写技术（two plane）等。

如前所述，闪存介质本身存在多种提高数据读写速度的技术，但不同生 产厂家所生产的闪存介质的类型以及所采用的数据读写技术不相同，相互之 间存在不兼容或不支持的情况，如支持东芝（Toshiba）闪存介质的数据读写 技术就不支持三星（Samsung）的，支持镁光（Micron）闪存介质的数据读写 技术就不支持现代（Hyundai）的。基于以上原因，当某一存储装置中包括两 种以上不同厂家生产的闪存介质芯片或多块闪存介质芯片时，将无法通过各 自支持的数据存取技术提高该存储装置的数据存取速度。

发明内容

本发明提供一种提高闪存介质数据存取速度的方法，包括：

获取闪存介质的闪存特性的步骤；

接收写入配置参数的命令；

执行写入配置参数的命令，将所述闪存特性写入内部信息记录表；

写入用于控制数据存取的信息，对所述闪存介质格式化;

根据配置参数绑定物理块的步骤，其中，该步骤包括为绑定物理块分配 物理地址，并建立绑定对照关系；

对绑定物理块进行数据操作的步骤，所述对绑定物理块进行数据操作的 步骤，包括：

读取所述配置参数；

接收写入数据的命令，执行写数据操作；

判断是否为最后一个外部交叉读写操作，若否则根据所述绑定对照关系， 使用外部交叉读写技术进行写数据操作；

判断是否为最后一个内部交叉读写操作，如否则根据所述绑定对照关系， 使用内部交叉读写技术进行写数据操作；

判断写数据操作是否执行到最后一个阶，如否，则所述绑定对照关系，使用 多阶读写技术进行写数据操作。

优选地，上述闪存特性包括但不限于：支持的外部片数、支持的片内晶 粒数、支持的晶粒内阶数、阶绑定页增量和/或晶粒绑定页增量。

优选地，上述获取闪存介质的闪存特性的步骤包括：读取闪存介质编号； 判断闪存介质包括的片数，若包括多片则认为闪存介质支持多路外部交叉读 写模式，否则认为闪存介质不支持多路外部交叉读写技术；判断闪存介质的 物理片内是否有多路交叉读写技术，若有则认为闪存介质支持多路内部交叉 读写模式，否则认为闪存介质不支持多路内部交叉读写技术；判断闪存介质 的晶粒内是否有多个阶，若有则认为闪存介质支持有多阶；否则认为闪存介 质不支持多阶；将上述判断结果作为闪存特性，重复上述步骤直到获取所有 闪存介质的闪存特性；将所有闪存介质的闪存特性写入闪存特性记录表。

优选地，根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定 片内。

优选地，上述根据配置参数绑定物理块的步骤包括：读取闪存介质的闪 存特性，所述闪存特性包括闪存介质的块数、每块闪存介质的晶粒数；若所 述闪存介质包括两块，则从第一闪存介质和第二闪存介质中的晶粒中分别顺 序取未经绑定的至少一物理块；将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形 成一绑定块；重复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；为所述绑定块分配 物理地址，建立绑定对照关系；将绑定块的物理地址作为配置参数。

优选地，根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定 片内。

优选地，在每完成所取的多个物理块绑定成一个物理块后，分配物理地 址并建立绑定对照关系，再进行对其它物理块的绑定操作。

优选地，若所述闪存介质的晶粒数为1,则所述根据配置参数绑定物理块 的步骤包括：读取闪存介质的闪存特性；从晶粒的各片中分别取未经绑定的 至少一物理块；将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；重 复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；为所述绑定块分配物理地址，建立 绑定对照关系；将绑定块的物理地址作为配置参数。