[发明专利]提高闪存介质数据存取速度的方法

权利要求书

1.一种提高闪存介质数据存取速度的方法，包括：

获取闪存介质的闪存特性的步骤；

接收写入配置参数的命令；

执行写入配置参数的命令，将所述闪存特性写入内部信息记录表；

写入用于控制数据存取的信息，对所述闪存介质格式化;

根据配置参数绑定物理块的步骤，其中，该步骤包括为绑定物理块分配 物理地址，并建立绑定对照关系；

对绑定物理块进行数据操作的步骤，所述对绑定物理块进行数据操作的 步骤，包括：

读取所述配置参数；

接收写入数据的命令，执行写数据操作；

判断是否为最后一个外部交叉读写操作，若否则根据所述绑定对照关系， 使用外部交叉读写技术进行写数据操作；

判断是否为最后一个内部交叉读写操作，如否则根据所述绑定对照关系， 使用内部交叉读写技术进行写数据操作；

判断写数据操作是否执行到最后一个阶，如否，则根据所述绑定对照关 系，使用多阶读写技术进行写数据操作。

2.如权利要求1所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于， 所述闪存特性包括但不限于：支持的外部片数、支持的片内晶粒数、支持的 晶粒内阶数、阶绑定页增量和/或晶粒绑定页增量。

3.如权利要求1所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于，

所述获取闪存介质的闪存特性的步骤包括：

读取闪存介质编号；

判断所述闪存介质包括的片数，若包括多片则认为所述闪存介质支持多 路外部交叉读写技术，否则认为所述闪存介质不支持多路外部交叉读写技术；

判断所述闪存介质的物理片内是否有多路交叉读写技术，若有则认为闪 存介质支持多路内部交叉读写模式，否则认为闪存介质不支持多路内部交叉 读写技术；

判断所述闪存介质的晶粒内是否有多个阶，若有则认为所述闪存介质支 持有多阶；否则认为所述闪存介质不支持多阶；

将上述判断结果作为闪存特性，重复上述步骤直到获取所有闪存介质的 闪存特性；

将所有闪存介质的闪存特性写入闪存特性记录表。

4.如权利要求1至3任意一项所述的提高闪存介质数据存取速度的方法， 其特征在于：

根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定片内。

5.如权利要求1至3任意一项所述的提高闪存介质数据存取速度的方法， 其特征在于，所述根据配置参数绑定物理块的步骤包括：

读取闪存介质的闪存特性，所述闪存特性包括闪存介质的块数、每块闪 存介质的晶粒数；

若所述闪存介质包括两块，则从第一闪存介质和第二闪存介质中的晶粒 中分别顺序取未经绑定的至少一物理块；

将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；

重复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；

为所述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；

将绑定块的物理地址作为配置参数。

6.如权利要求5所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于：

根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定片内。

7.如权利要求5所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在 于，在每完成所取的多个物理块绑定成一个物理块后，分配物理地址并建立 绑定对照关系，再进行对其它物理块的绑定操作。

8.如权利要求1至3任意一项所述的提高闪存介质数据存取速度的方法， 其特征在于，若所述闪存介质的晶粒数为1,则所述根据配置参数绑定物理块 的步骤包括：

读取闪存介质的闪存特性；

从晶粒的各阶中分别取未经绑定的至少一物理块；

将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；

重复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；

为所述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；

将绑定块的物理地址作为配置参数。