[发明专利]提高闪存介质读写速度的方法

说明书

技术领域

本发明涉及静态存储器领域，特别涉及一种提高闪存介质读写速度的方法。 

背景技术

随着闪存介质(flash)技术和应用的飞速发展，闪存介质的读写速度成为衡量闪存介质性能的重要指标，提高闪存介质的读写速度将大大提高数据处理效率，有利于扩展闪存介质的应用。现有的文件管理系统如fat文件系统对闪存介质写数据的过程是先写目录区、fat区等隐藏区，再写数据区。而闪存介质是以页为最小单位进行管理的，要写入的数据往往不是从闪存介质的页开头开始，而是从某页的中部开始写，又在某页的中间结束。由于闪存介质的特性，对某页写数据如果不是从该页的开头开始写，就要把该页保存的原有数据搬迁到ram里，把要写的新数据写到ram，然后把原有数据和新数据一起写进该页，过程耗时而且不便于管理，还在页中产生大量碎片，需要浪费很多时间回收这些碎片。 

发明内容

本发明目的在于提供一种提高闪存介质读写速度的方法。 

本发明提出一种提高闪存介质读写速度的方法，包括步骤：计算偏移量；根据偏移量对数据操作进行偏移处理；执行数据操作。 

优选地，上述计算偏移量的步骤包括：获取数据区逻辑起始地址；取得闪存介质的页的扇区数；根据数据区逻辑起始地址和扇区数计算偏移量。 

优选地，上述根据数据区逻辑起始地址和扇区数计算偏移量是将数据区逻辑起始地址与扇区数取余数，将取得的余数作为偏移量。 

优选地，上述计算偏移量的步骤在每次格式化闪存介质后进行。 

优选地，上述计算格式化存储介质包括向隐藏区写数据的步骤，计算偏移量的步骤在向隐藏区写数据的步骤之后进行。 

上述数据操作包括向闪存介质指定逻辑地址写数据或从闪存介质指定逻辑地址读数据。 

优选地，上述根据偏移量对数据操作进行偏移处理是将数据操作的指定逻辑地址与偏移量相加得到的和值作为实际逻辑地址。 

优选地，上述提高闪存介质读写速度的方法，还包括步骤：判断数据操作指定逻辑地址是否大于等于数据区逻辑起始地址，若指定逻辑地址大于等于数据区逻辑起始地址则对数据操作进行偏移处理，取得实际逻辑地址。 

上述执行数据操作是从实际逻辑地址或从指定逻辑地址开始执行数据操作。 

上述偏移量保存在闪存介质的特定存储空间中。 

本发明提供的提高闪存介质读写速度的方法能根据文件系统(例如fat16，fat32，ntfs等)把闪存介质的最小写入单位页与文件系统的最小写入单位簇对齐，让每个簇由多个页组成，实现对闪存介质读写数据时，明显提高读写速度，特别是写的速度，并且避免大量碎片的产生，而无需改变闪存介质硬件结构，也无需改变文件系统，易于实现。 

附图说明

图1是本发明第一实施例的文件系统的数据组织形式示意图； 

图2是本发明第一实施例的处理流程示意图； 

图3是本发明第一实施例计算偏移量的流程示意图； 

图4是本发明第一实施例执行数据操作的流程示意图。 

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。 

具体实施方式

本发明提出第一实施例，基于Fat文件系统实现提高闪存介质读写速度。参照图1，示出Fat文件系统的数据组织形式。Fat文件系统是被windows，linux和大多数移动设备、手持设备操作系统广泛使用的一种文件系统。以fat 16文件系统为例，Fat文件系统将闪存介质分为数据区和隐藏区两部分。 

数据区用来存放子目录和数据，占闪存介质存储空间的90％以上甚至更多。Fat文件系统将数据区分簇管理，文件是由多个簇组成的，一个簇为多个扇区，每个簇分别标号，通过簇号就可直接找到数据存放地址。