[发明专利]提高闪存介质读写速度的方法有效

专利信息
申请号: 200710187526.5 申请日: 2007-11-21
公开(公告)号: CN101441596A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 万红波 申请(专利权)人: 深圳市朗科科技股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 胡海国;王艳春
地址: 518057广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 提高 闪存 介质 读写 速度 方法
【权利要求书】:

1.一种提高闪存介质读写速度的方法,包括步骤:

根据数据操作取得要进行所述数据操作的指定逻辑地址;

计算偏移量;

判断所述数据操作的指定逻辑地址是否大于等于数据区逻辑起始地址, 若所述指定逻辑地址大于等于所述数据区逻辑起始地址则对所述数据操作进 行偏移处理,即,将所述数据操作的指定逻辑地址与偏移量相加得到的和值 作为实际逻辑地址,使所述指定逻辑地址对应到所述闪存介质中的页的开头, 从而从页的开头开始进行所述数据操作,进而使数据中的簇由多个完整的页 组成,并实现所述数据操作是按照整页进行的;以及

从所述实际逻辑地址开始执行所述数据操作;

所述方法还包括:

如果所述指定逻辑地址小于所述数据区逻辑起始地址,说明所述指定逻 辑地址位于隐藏区中,则不进行所述偏移处理;以及

从所述指定逻辑地址开始执行所述数据操作。

2.根据权利要求1所述的提高闪存介质读写速度的方法,其特征在于, 所述计算偏移量的步骤包括:

获取所述数据区逻辑起始地址;

取得所述闪存介质的页的扇区数;

根据所述数据区逻辑起始地址和所述扇区数计算所述偏移量。

3.根据权利要求2所述的提高闪存介质读写速度的方法,其特征在于, 所述根据所述数据区逻辑起始地址和所述扇区数计算所述偏移量是将所述数 据区逻辑起始地址与所述扇区数取余数,将取得的余数作为所述偏移量。

4.根据权利要求1所述的提高闪存介质读写速度的方法,其特征在于, 所述计算偏移量的步骤在每次格式化闪存介质后进行。

5.根据权利要求4所述的提高闪存介质读写速度的方法,其特征在于, 在格式化闪存介质的步骤后,所述方法进一步包括将格式化产生的数据写入 隐藏区的步骤,所述计算偏移量的步骤在所述将格式化产生的数据写入隐藏 区的步骤之后进行。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的提高闪存介质读写速度的方法, 其特征在于,所述数据操作包括向闪存介质的所述指定逻辑地址写数据或从 闪存介质的所述指定逻辑地址读数据。

7.根据权利要求1至5任意一项所述的提高闪存介质读写速度的方法, 其特征在于,所述偏移量保存在所述闪存介质的、不被所述数据操作所使用 的存储区域中。

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