[发明专利]一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法无效
| 申请号： | 200710177395.2 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101158029A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李明华;于广华;滕蛟;丁雷 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/58;C23C14/54 |
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| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 自旋 热稳定性 方法 | ||
1.一种提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，其特征在于：将Pt片放置在IrMn靶上，通过磁控溅射制备反铁磁材料Ir(Pt)Mn，再在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积Ta50～60、NiFe20～30、Ir(Pt)Mn60～70、CoFe35～45、NOL、CoFe20～30、Cu25～30、CoFe45～55、NOL、Ta30～40，将纳米氧化层NOL插入以Ir(Pt)Mn为反铁磁层的自旋阀巨磁电阻多层膜中，样品制备完毕后在真空退火炉中退火。
2.如权利要求1所述的提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，其特征在于：在IrMn靶上对称放置Pt片，通过放置不同数量的Pt片来调节Pt的含量，Pt片的数目是4或6或8或10或12个，Mn的含量控制在66％到80％之间。
3.如权利要求1所述的提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，其特征在于：纳米氧化层NOL是在磁控溅射仪中的样品制备室中，由Co90Fe10在0.5～1.0Pa纯氧中自然氧化形成，氧化时间为1～20分钟。
4.如权利要求1所述的提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，其特征在于：磁控溅射时，溅射室本底真空度为1×10-6～6×10-7Pa，溅射时氩气压为0.4～0.7Pa，基片用循环水冷却，平行于基片方向加有150～250Oe的磁场。
5.如权利要求1所述的提高铱锰自旋阀热稳定性的方法，其特征在于：样品制备完毕后，在真空度为1.0～6.0×10-5Pa的退火炉中退火10～30分钟，退火温度为200～300℃，磁场为800～1000Oe。
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