[发明专利]自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201880001516.4 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108886061B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 盐川阳平;佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的自旋流磁化旋转元件具备第一铁磁性金属层和自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线为自旋传导层和界面自旋生成层交替叠层的结构，上述界面自旋生成层的数为两层以上，上述自旋轨道转矩配线中，上述界面自旋生成层中的一层最接近于上述第一铁磁性金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁化 旋转 元件 磁阻 效应 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋流磁化旋转元件，其特征在于，具备：第一铁磁性金属层，其磁化方向变化；以及自旋轨道转矩配线，其沿着相对于作为所述第一铁磁性金属层的法线方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且所述第一铁磁性金属层位于其一个面上，所述自旋轨道转矩配线为自旋传导层和界面自旋生成层沿所述第一方向交替叠层的结构，所述界面自旋生成层的层数为两层以上，所述自旋轨道转矩配线中，所述界面自旋生成层中的一层最接近于所述第一铁磁性金属层。
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