[发明专利]用可弃式间隔物提高的源极与漏极工艺有效
| 申请号： | 200680020111.2 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101194350A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | J·范米尔;H·钟 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用可弃式 间隔 提高 工艺 | ||
1.一种形成提高的源极与漏极区域的方法，包括下列步骤：
在衬底(10，30)上形成栅极电极(14，34)；
在该栅极电极(14，34)的各个侧壁上形成双可弃式间隔物(20，24，40，46)；
在该衬底(10，30)上形成提高的源极/漏极区域(26，48)；以及去除双可弃式间隔物(20，24，40，46)。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成双可弃式间隔物(20，24，40，46)之前，在该栅极电极(14)上形成覆盖物(16，36)。
3.如权利要求2所述的方法，其中，形成双可弃式间隔物(20，24，40，46)的步骤包括在该栅极电极(14)上形成第一氮化物间隔物(20，40)。
4.如权利要求3所述的方法，其中，形成该双可弃式间隔物(20，24，40，46)的步骤包括在第一氮化物间隔物(20，40)上形成氧化物衬垫(22，42)。
5.如权利要求4所述的方法，其中，形成双可弃式间隔物(20，24，40，46)的步骤包括在该氧化物衬垫(22)上形成第二氮化物间隔物(24，46)。
6.如权利要求5所述的方法，还包括：在形成第一氮化物间隔物(40)之前，在该覆盖物(36)上形成硬掩模(38)。
7.如权利要求6所述的方法，其中，形成第一氮化物间隔物(40)的该步骤包括形成氮化物层(40)，该氮化物层直接接触该栅极电极(34)的侧壁并且覆盖该硬掩模(38)及该覆盖物(36)。
8.如权利要求5所述的方法，还包括：形成直接接触该栅极电极(14)的侧壁的氧化物层(18)；以及在该氧化物层(18)上形成该等第一氮化物间隔物(20)。
9.如权利要求8所述的方法，其中，去除双可弃式间隔物(20，24)的步骤包括进行一系列的氮化物及氧化物蚀刻，以去除第一及第二氮化物间隔物(20，24)、该氧化物层(18)、该氧化物衬垫(22)、以及该覆盖物(16)。
10.如权利要求7所述的方法，其中，去除双可弃式间隔物(40，46)的步骤包括进行一系列的氮化物及氧化物蚀刻，以去除第一及第二氮化物间隔物(40，46)、该氧化物衬垫(42)、该硬掩模(38)、以及该覆盖物(36)。
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