[发明专利]高功率二极管支架结构及封装组合

权利要求书

1.一种高功率二极管支架结构，其特征在于，包括：

座体，其为陶瓷材料件，该座体一端内部具有内凹的功能区，及该功能区中形成有多个通孔单元与多个不同极性的导电区，且该座体另一端结合有散热基座；以及

多个金属电极，分别与该座体结合，且所述多个金属电极分别相对的与所述多个导电区电连接。

2.如权利要求1所述的高功率二极管支架结构，其特征在于：该座体为长型体。

3.如权利要求1所述的高功率二极管支架结构，其特征在于：所述多个金属电极为两个，且分别设于该座体两侧。

4.如权利要求1所述的高功率二极管支架结构，其特征在于：所述多个金属电极各具有电极基部，及两由该电极基部两侧延伸的电极侧部，该电极基部结合于该座体侧端缘，该两电极侧部分别结合于该座体端面。

5.如权利要求4所述的高功率二极管支架结构，其特征在于：该座体形成有另一通孔单元设于该两电极侧部之间。

6.一种高功率二极管封装构造，其特征在于，包括：

座体，其为陶瓷材料件，该座体一端内部具有内凹的功能区，及该功能区中形成有多个通孔单元与多个不同极性的导电区，且该座体另一端结合有散热基座；

多个金属电极，分别与该座体结合，且所述多个金属电极分别相对的与所述多个导电区电连接；

多个发光二极管晶片，分别设于该座体的功能区中，且分别对应于所述多个通孔单元，所述多个发光二极管晶片及所述多个导电区分别连接有导线；以及

封胶元件，结合于该座体的功能区中，以覆盖所述多个发光二极管晶片。

7.如权利要求6所述的高功率二极管封装构造，其特征在于：该座体为长型体。

8.如权利要求6所述的高功率二极管封装构造，其特征在于：所述多个金属电极为两个，且分别设于该座体两侧。

9.如权利要求6所述的高功率二极管封装构造，其特征在于：所述多个金属电极各具有电极基部，及两由该电极基部两侧延伸的电极侧部，该电极基部结合于该座体侧端缘，该两电极侧部分别结合于该座体端面。

10.如权利要求9所述的高功率二极管封装构造，其特征在于：该座体形成有另一通孔单元设于该两电极侧部之间。

11.如权利要求6所述的高功率二极管封装构造，其特征在于：所述多个发光二极管分别与该座体之间设有金属垫对应于该通孔单元。

12.如权利要求6所述的高功率二极管封装构造，其特征在于：该封胶元件为环氧树脂或硅胶。

13.如权利要求6所述的高功率二极管封装构造，其特征在于：该封胶元件内进一步混合有荧光粉的混合式封装胶材。

14.一种高功率二极管封装组合，其特征在于，包含多个相互串接的二极管封装，所述多个二极管封装分别设有：

座体，其为长型体的陶瓷材料件，该座体一端内部具有内凹的功能区，及该功能区中形成有多个通孔单元与多个不同极性的导电区，且该座体另一端结合有散热基座；

两个金属电极，分别结合于该座体两侧，且所述两个金属电极分别相对的与所述多个导电区电连接；

多个发光二极管晶片，分别设于该座体的功能区中，且分别对应于所述多个通孔单元，所述多个发光二极管晶片及所述多个导电区分别连接有导线；以及

封胶元件，结合于该座体的功能区中，以覆盖所述多个发光二极管晶片；

由此，所述多个二极管封装的座体相互串接，一该二极管封装的一金属电极，其与另一该二极管封装的一金属电极相邻。

15.如权利要求14所述的高功率二极管封装组合，其特征在于：所述两个金属电极各具有电极基部，及两由该电极基部两侧延伸的电极侧部，该电极基部结合于该座体侧端缘，该两电极侧部分别结合于该座体端面。

16.如权利要求15所述的高功率二极管封装组合，其特征在于：该电极基部与另一该二极管封装的电极基部相邻，或电性接触。

17.如权利要求15所述的高功率二极管封装组合，其特征在于：所述座体各形成有另一通孔单元分别设于该两电极侧部之间。