[发明专利]提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，包括：

提供基底，所述基底具有沟槽密集区与沟槽稀疏区；

在所述沟槽密集区的所述基底中形成多个第一沟槽隔离结构，并同时在所述沟槽稀疏区的所述基底中形成多个第二沟槽隔离结构，且在所述第一沟槽隔离结构之间和所述第二沟槽隔离结构之间的间隙形成掩模层；

移除部分的所述沟槽密集区的所述第一沟槽隔离结构，使所述第一沟槽隔离结构的顶部表面低于所述第二沟槽隔离结构的顶部表面；

移除所述掩模层，直至暴露出所述基底表面；

形成多晶硅栅极层，以覆盖住所述基底、所述第一沟槽隔离结构与所述第二沟槽隔离结构；并且

进行平坦化工艺，移除部分所述多晶硅栅极层。

2.如权利要求1所述的提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，其中移除部分的所述沟槽密集区的所述第一沟槽隔离结构的方法包括：

在所述沟槽稀疏区的所述基底上方形成光致抗蚀剂层；并且

以所述光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻所述沟槽密集区的所述第一沟槽隔离结构。

3.如权利要求1所述的提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，其中所述平坦化工艺包括多晶硅化学机械抛光工艺。

4.如权利要求1所述的提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，其中所述掩模层的材料包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，其中所述多晶硅栅极层的形成方法包括化学气相沉积法。

6.如权利要求1所述的提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，还包括在所述基底与所述掩模层之间形成垫氧化层。

7.如权利要求6所述的提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，其中所述垫氧化层的材料包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，其中所述沟槽密集区与所述沟槽稀疏区分别包括存储单元区与周边电路区。