[发明专利]提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法有效
| 申请号： | 200610031091.0 | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101145543A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;胡君;郭永芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 高压 氧化 均匀 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，高压阱注入；步骤2，生长栅氧化层；步骤3，刻蚀浅沟槽隔离；步骤4，淀积多晶硅及制造栅极的氧化硅侧墙。
2.如权利要求1所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，在步骤2和步骤3之间依次增加二步：多晶硅淀积、氮化硅淀积。
3.如权利要求1所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，在步骤3和步骤4之间依次增加步骤：步骤A，生长垫衬氧化层；步骤B，淀积氧化层；步骤C，化学机械研磨及氧化层刻蚀；步骤D，去除氮化硅层。
4.如权利要求3所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，步骤B采用高密度等离子体化学气相淀积氧化层。
5.如权利要求3所述的提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，其特征在于，步骤D采用磷酸去除氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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