[发明专利]半导体结构及集成电路

说明书

一种半导体结构及集成电路，半导体结构包括形成于基板上的隔离结构、形成于隔离结构上的环绕式栅极晶体管结构、电性耦接至环绕式栅极晶体管结构栅极的通孔，以及在隔离结构内并电性耦接至通孔的埋入式导电垫，上述埋入式导电垫可以在两个维度上(例如在垂直维度与水平维度上)延伸通过隔离结构，上述半导体结构具有其他可能的优势，其中之一是可以在布线灵活性的方面提供优势。

技术领域

本揭示内容有关半导体装置，尤其是关于包括半导体装置的电路的设计布局。

背景技术

本揭示内容是有关半导体装置和用于制造半导体装置的方法，尤其是关于包括半导体装置的电路的设计布局。随着半导体装置的特征尺寸不断减小，对电路布局中空间使用的限制经常会出现，半导体装置用于各种电子产品，且通常需要同时改进半导体装置的制造和性能。

发明内容

本揭示内容的一实现方式是半导体结构。此半导体结构包括形成于基板上的隔离结构、形成于隔离结构上的环绕式栅极晶体管结构、通孔及埋入式导电垫。上述通孔电性耦接至环绕式栅极晶体管结构的栅极端，而上述埋入式导电垫形成于隔离结构内并电性耦接至上述通孔。

本揭示内容的另一实现方式是集成电路。此集成电路包括形成于基板上的浅沟槽隔离结构、形成于浅沟槽隔离结构上且环绕多条纳米线的栅极结构、电性耦接至栅极结构的通孔、以及埋入式导电垫，上述埋入式导电垫形成于浅沟槽隔离结构内并电性耦接至上述通孔，且在浅沟槽隔离结构内延伸于两个维度上。

本揭示内容的又一实现方式是另一半导体结构。此半导体结构包括形成于基板上的隔离结构、形成于隔离结构上且环绕多个纳米片的栅极结构、电性耦接至栅极结构的通孔、以及埋入式导电垫，上述埋入式导电垫形成于浅沟槽隔离结构内并电性耦接至上述通孔，且在隔离结构内延伸于水平维度和垂直维度上。

附图说明

以下详细描述结合附图阅读时，可以最好地理解本揭示内容的各方面。注意，根据行业中的标准实践，各种特征并未按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可以任意扩大或缩小。

图1A示出根据一些实施例的实例半导体结构的俯视图；

图1B示出根据一些实施例的图1A的半导体结构的剖面图；

图1C示出根据一些实施例的图1A的半导体结构的另一剖面图；

图2示出根据一些实施例的另一例示半导体结构的俯视图；

图3A示出根据一些实施例的实例电路布局的俯视图；

图3B示出根据一些实施例的图3A的实例电路布局的仰视图；

图4A示出根据一些实施例的实例电路布局的俯视图；

图4B示出根据一些实施例的图4A的实例电路布局的仰视图；

图4C示出根据一些实施例且对应于图4A至图4B的布局的实例电路图；

图5A示出根据一些实施例的实例电路布局的俯视图；

图5B示出根据一些实施例的图5A的实例电路布局的仰视图；

图5C示出根据一些实施例且对应于图5A至图5B的布局的实例电路图。

【符号说明】

100：半导体结构

110：磊晶区

120：通道结构

130：埋入式导电垫

140：栅极结构

150：剖面

160：剖面