[发明专利]半导体结构及集成电路在审
| 申请号： | 202210569872.4 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN115116951A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吴国晖;王柏钧;陈志良;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 集成电路 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一隔离结构，形成于一基板上；
一环绕式栅极晶体管结构，形成于该隔离结构上；
一通孔，电性耦接至环绕式栅极晶体管结构的一栅极端；以及
一埋入式导电垫，形成于该隔离结构内，且该埋入式导电垫电性耦接至该通孔。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该埋入式导电垫在该隔离结构内延伸于一水平维度和一垂直维度上。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该埋入式导电垫在该隔离结构内沿两个维度延伸。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该通孔包括一第一通孔，且该环绕式栅极晶体管结构包括一第一环绕式栅极晶体管结构，该半导体结构还包括一第二环绕式栅极晶体管结构和一第二通孔，其中该第二通孔电性耦接至该埋入式导电垫与该第二环绕式栅极晶体管结构的一栅极端。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该通孔包括一第一通孔，该半导体结构还包括一第二通孔，该第二通孔电性耦接至该环绕式栅极晶体管结构的一源极端或一漏极端并电性耦接至该埋入式导电垫。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该环绕式栅极晶体管结构的该栅极端环绕多个纳米线形成。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该环绕式栅极晶体管结构的该栅极端环绕多个纳米片形成。
8.一种集成电路，其特征在于，包括：
一浅沟槽隔离结构，形成于一基板上；
一栅极结构，形成于该浅沟槽隔离结构上并环绕多个纳米线；
一通孔，电性耦接至该栅极结构；以及
一埋入式导电垫，形成于该浅沟槽隔离结构内并电性耦接至该通孔，该埋入式导电垫在该浅沟槽隔离结构内延伸于两个维度上。
9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，该栅极结构使用多晶硅材料形成，且该栅极结构是一环绕式栅极晶体管结构的一栅极端。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一隔离结构，形成于一基板上；
一栅极结构，形成于该隔离结构上并环绕多个纳米片；
一通孔，电性耦接至该栅极结构；以及
一埋入式导电垫，形成于浅沟槽的该隔离结构内并电性耦接至该通孔，该埋入式导电垫在该隔离结构内延伸于一水平维度和一垂直维度上。
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