[实用新型]内联叠层非晶硅光电池无效
| 申请号： | 99244708.9 | 申请日： | 1999-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN2390280Y | 公开（公告）日： | 2000-08-02 |
| 发明（设计）人： | 廖显伯;何承义;邵明;贾岭 | 申请（专利权）人： | 珠海道元科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 三高专利事务所 | 代理人： | 胡湘根 |
| 地址： | 519070 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种内联叠层非晶硅光电池,由玻璃基底、透明电极、非晶硅层和导电浆料背电极构成,如图1所示。非晶硅层具有P1－I1－N1/P2－I2－N2双结叠层结构;透明电极由ITO或二氧化锡透明导电膜制成;透明电极与导电浆料背电极通过非晶硅层上的沟道相连接;背电极由导电浆料制成在非晶硅层上,采用非晶硅双结叠层结构提高了电池的能量转换效率,改善了电池的强光性能和稳定性;采用导电浆料作背电极具有外观一致性好和电性能稳定的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 内联 叠层非晶硅 光电池 | ||
【主权项】：
1、一种内联叠层非晶硅光电池，其特征在于在玻璃基底(1)的表面溅射沉积透明导电膜(2)，再覆盖一层双结叠层型非晶硅薄膜(3)，背电极(4)覆盖于非晶硅薄膜(3)上，透明电极(2)之间有隔离沟道A，非晶硅薄膜(3)之间有隔离沟道(C)，透明电极(2)沟道A与非晶硅层(3)沟道(C)之间的平移距离为B，背电极(4)之间的沟道为(E)，与非晶硅薄膜层(3)沟道C相距为D，由此形成透明电极(2)，非晶硅层(3)和背电极(4)三层的三条相互错位的串联结构，背电极(4)左边的窄条形，形成电池引出的正电极，而右边一块背电极构成引出的负电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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