[实用新型]内联叠层非晶硅光电池无效
| 申请号： | 99244708.9 | 申请日： | 1999-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN2390280Y | 公开（公告）日： | 2000-08-02 |
| 发明（设计）人： | 廖显伯;何承义;邵明;贾岭 | 申请（专利权）人： | 珠海道元科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 三高专利事务所 | 代理人： | 胡湘根 |
| 地址： | 519070 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内联 叠层非晶硅 光电池 | ||
【权利要求书】：
1、一种内联叠层非晶硅光电池，其特征在于在玻璃基底(1)的表面溅射沉积透明导电膜(2)，再覆盖一层双结叠层型非晶硅薄膜(3)，背电极(4)覆盖于非晶硅薄膜(3)上，透明电极(2)之间有隔离沟道A，非晶硅薄膜(3)之间有隔离沟道(C)，透明电极(2)沟道A与非晶硅层(3)沟道(C)之间的平移距离为B，背电极(4)之间的沟道为(E)，与非晶硅薄膜层(3)沟道C相距为D，由此形成透明电极(2)，非晶硅层(3)和背电极(4)三层的三条相互错位的串联结构，背电极(4)左边的窄条形，形成电池引出的正电极，而右边一块背电极构成引出的负电极。
2、根据权利要求1所述的光电池，其特征在于非晶硅薄膜层(3)是双结叠层P1-I1-N1/P2-I2-N2的结构，其中P1P2为非晶硅碳层a-SiCx：H，I1层为未掺杂宽带隙非晶硅层a-Si：H，N1N2为N型a-Si：H，I2层为未掺杂窄带隙非晶硅锗层a-SiGex：H(x＝0-0.5)。
3、根据权利要求1所述的光电池，其特征在于背电极(4)由导电浆料，如导电碳膏、银浆、铜浆制成。
4、根据权利要求1所述的光电池，其特征在于非晶硅薄膜层(3)的沟道宽度不大于0.4mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海道元科技发展有限公司，未经珠海道元科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99244708.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
