[发明专利]检测静态随机存储器的方法无效

专利信息
申请号: 99123158.9 申请日: 1999-10-25
公开(公告)号: CN1294304A 公开(公告)日: 2001-05-09
发明(设计)人: 陈淮琰;文泾涛 申请(专利权)人: 英业达集团(西安)电子技术有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R31/02
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 吕晓章
地址: 710000 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种检测静态随机存储器的方法,其主要针对静态随机存储器(SRAM)电子线路开路的不确定性及短路的不良特性,以测试相关联的地址单元数据的方法,来检测静态随机存储器(SRAM)的电子线路(主要是地址线和数据线)是否有开路或短路的情形,且根据检测结果的指示,可得知该静态随机存储器(SRAM)发生故障的原因。
搜索关键词: 检测 静态 随机 存储器 方法
【主权项】:
1.一种检测静态随机存储器的方法,其主要是针对静态随机存储器(SRAM)的信号线(主要是地址线和数据线)开路和短路所作的全面性的检测方法,其步骤包括:(1)先检测待测静态随机存储器(SRAM)中除地址线、数据线外的其他信号线,其包括电源线、地线、选通线、读信号、写信号;(2)如果待测静态随机存储器(SRAM)中经检测后,除地址线、数据线外的其他信号线,并未有故障时,则以重复测试特定地址单元数据的检测方法,并以最大限度,来检测该待测静态随机存储器(SRAM)的数据线是否有开、短路的情形;(3)如果经检测后,该待测静态随机存储器(SRAM)的数据线开、短路未有故障的情形时,则继续针对其短路状况,采用同时测试相关地址单元数据的检测方法,以判定地址线是否有短路的情形;(4)最后,如果经检测后,该待测静态随机存储器(SRAM)的地址线也未有短路的情形时,即针对其开路状况,采用重复测试特定地址单元的检测方法,以最大限度继续检测出其地址线是否有开路的情形。
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