[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 99111386.1 | 申请日： | 1999-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1245338A | 公开（公告）日： | 2000-02-23 |
| 发明（设计）人： | 大月哲也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器使用了双字线系统和负电势字线系统,其中,栅极和源极之间和栅极和漏极之间使用降低的最大外加电压,该半导体存储器使沿主字线设置的子字线驱动电路有一个晶体管控制为总处于ON状态,它置于控制子字线为正电势的晶体管和子字线之间;设置控制子字线为负电势的两个晶体管的阈值电压使得即使其栅极为地电势,当子字线被选中时,它们仍保持在OFF状态,当子字线未被选中时,低于上述预定正电压的正电压加到它们的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.半导体存储器，其子字线驱动电路沿主字线设置，当子字线被选中时，控制子字线驱动电路控制下的所述子字线为预定正电势，并使连接到子字线的存储单元为写状态；当所述子字线未被选中时，控制所述子字线为预定负电势，并使所述单元处于数据保持状态，所述半导体存储器包括：另一被控制为总是导通状态的晶体管，它置于控制所述子字线为所述预定正电势的晶体管和所述子字线驱动电路中的所述子字线之间；控制所述子字线为所述负电势的所述晶体管的阈值电压，当所述子字线被选中时，设置为即使其栅极为地电势，仍保持为截止状态；当所述子字线被选中时，低于所述预定正电势的正电压施加到所述栅极。
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