[发明专利]一种半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 99106018.0 | 申请日： | 1999-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1233857A | 公开（公告）日： | 1999-11-03 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信哉 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所说的半导体器件包括在半导体晶片1上,有一栅绝缘膜2,一栅电极3,一源漏区7和在栅电极侧面上生成的一侧面绝缘膜,其中侧面绝缘膜有一与栅电极侧面和半导体晶片表面相接触的用TEOSNSG膜制成的双层结构,硅渗氮膜6生成在TEOSNSG膜上。此半导体器件改善了热载体热阻,具有导通(ON)电流在长时间内变化很小的高度可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一个半导体器件包括：位于一个半导体晶片上的一个棚绝缘膜，一个栅电极，一个源漏区，和一个在栅电极的一侧面上生成的侧面绝缘膜，其中所说的侧面绝缘膜具有一个由与栅电极侧面和半导体晶片表面相接触的TEOSNSG膜构成的双层结构，以及一个在TEOSNSG膜上生成的硅渗氮膜。
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